SD卡工廠(chǎng) 相變化存儲(chǔ)器相關(guān)介紹
相變化存儲(chǔ)器名稱(chēng)有很多種，包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)等，全球的相變化存儲(chǔ)器分為3大陣營(yíng)，包括恒憶(Numonyx)／英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、旺宏／IBM等，其中恒憶和旺宏都稱(chēng)為PCM，三星的產(chǎn)品則稱(chēng)為PRAM。
相變化存儲(chǔ)器最早發(fā)明人為S. R. Ovshinsky，于1966年代表美國(guó)公司Energy Conversion Devices(ECD)提出1篇美國(guó)專(zhuān)利中表示，在硫?qū)倩衔?Chalcogenide)中，結(jié)晶相與非晶相之間的光學(xué)性質(zhì)及導(dǎo)電度都有顯著的不同，而這兩項(xiàng)間可進(jìn)行快速、可逆且穩(wěn)定的轉(zhuǎn)換，適合做開(kāi)關(guān)(switching)及記憶(memory)之用。
相變化存儲(chǔ)器需要新材料，也就是硫?qū)倩衔锛存N硒銻GST，在結(jié)晶態(tài)與非結(jié)晶態(tài)這兩種高、低不同的相變化(Phase Change)區(qū)分中來(lái)當(dāng)作0與1，進(jìn)而做為存儲(chǔ)器用途。與現(xiàn)有的存儲(chǔ)器NAND Flash和DRAM相比較，仍是各有幽缺點(diǎn)。
日前三星宣布將相變化存儲(chǔ)器用在智能型手機(jī)用的MCP(Multi-Chip Package)芯片，目的是用來(lái)取代NOR Flash角色，目前推出512Mb產(chǎn)品，且計(jì)劃在年底前大量導(dǎo)入手機(jī)市場(chǎng)，而三星這樣的大動(dòng)作，也宣示相變化存儲(chǔ)器不再只是紙上談兵的下世代存儲(chǔ)器技術(shù)，是真正可以導(dǎo)入終端市場(chǎng)的技術(shù)。
再者，恒憶也宣布推出第2款新的相變化存儲(chǔ)器，并成立新的副品牌Omneo，主要是針對(duì)需要量身訂做的客戶(hù)來(lái)服務(wù)，應(yīng)用范圍包含有線(xiàn)及無(wú)線(xiàn)通訊、消費(fèi)電子產(chǎn)品、個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和嵌入式應(yīng)用產(chǎn)品等，也是積極將相變化存儲(chǔ)器導(dǎo)入市場(chǎng)的另一案例。
