SD卡廠(chǎng)家：快閃存儲(chǔ)器簡(jiǎn)單介紹

快閃存儲(chǔ)器屬于被稱(chēng)為不易失存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。所有的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器都可以歸為兩種不同的基本類(lèi)型：僅在被連接到電池或其他電源時(shí)才能保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器（易失存儲(chǔ)器），以及即使在沒(méi)有電源的情況下仍然能夠保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器（不易失存儲(chǔ)器）。

DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）盡管有容易丟失數(shù)據(jù)的缺點(diǎn)，但從市場(chǎng)規(guī)模來(lái)說(shuō)，它們卻是最重要的存儲(chǔ)器類(lèi)型。由于它們的快速寫(xiě)入能力，使它們被作為“工作”存儲(chǔ)器來(lái)使用。對(duì)于DRAM　來(lái)說(shuō)，其優(yōu)點(diǎn)在于它能夠在極小尺寸的存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)極大容量的數(shù)據(jù)。現(xiàn)在，256M比特的DRAM已經(jīng)在商業(yè)上應(yīng)用，而1G比特的設(shè)備將很快出現(xiàn)。對(duì)于SRAM來(lái)說(shuō)，其優(yōu)點(diǎn)在于極低的制造費(fèi)用（不需要刷新電路），以及某些類(lèi)型存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀取速度，其特點(diǎn)是比DRAM快一個(gè)量級(jí)。DRAM和SRAM都是個(gè)人計(jì)算機(jī)的基本部件。

快閃存儲(chǔ)器基本單元架構(gòu)

盡管所有的快閃存儲(chǔ)器都使用相同的基本存儲(chǔ)單元，有許多不同的途徑將單元在總體存儲(chǔ)陣列中互連。其中最重要的兩種架構(gòu)被稱(chēng)為NOR（或非）和NAND（與非），這些從傳統(tǒng)的組合邏輯中得到的術(shù)語(yǔ)指出了陣列的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和其中的單獨(dú)單元讀取和寫(xiě)入的方式。

最初，這兩種架構(gòu)間有明顯的區(qū)別，NOR設(shè)備表現(xiàn)出固有的快速讀取時(shí)間（使其成為代碼存儲(chǔ)的最佳選擇），而NAND設(shè)備提供更高的存儲(chǔ)密度（這是由于NAND單元大約比NOR單元小40％）。不過(guò)，多比特/單元技術(shù)的出現(xiàn)使得這一平衡明顯地傾向于NOR架構(gòu)。這是由于在NOR架構(gòu)中，電荷讀出放大器對(duì)每個(gè)單元直接進(jìn)行存取，而在NAND架構(gòu)中，讀出放大器的信號(hào)必須通過(guò)一定數(shù)量的其它單元，其中的每一個(gè)都能帶來(lái)一定的小誤差。這意味著NAND體系不太可能擴(kuò)展到超過(guò)2比特/單元，而對(duì)NOR架構(gòu)來(lái)說(shuō)，確信可以得到4比特/單元。這一點(diǎn)不僅補(bǔ)償了NAND單元的較大尺寸，而且使得NOR成為所有當(dāng)前和將來(lái)的快閃存儲(chǔ)器應(yīng)用的適當(dāng)選擇。