三星電子今(2015)年靠著20nm制程技術領先DRAM對手、吃下獲利市占大餅。不過，風水輪流轉，明年美光(Micron)、SK Hynix有望會扳回一城。
barron`s.com報導，Bernstein Research分析師Michael Newman 16日發(fā)表研究報告指出，雖然DRAM報價今年崩盤，但其實產業(yè)體質反而比過往穩(wěn)健、業(yè)界整體獲利依舊相當穩(wěn)定，主要是因為三星吃掉美光、SK Hynix、華亞科、南亞科(2408)市占率、占據產業(yè)多數利潤的關系。
根據Newman的統(tǒng)計，今年DRAM整體凈利持平于170億美元，營益率還從去年的37%略為擴大至39%，主因三星已占60%的產業(yè)凈利、高于去年Q4的46%。三星領先推出DDR4、LPDDR4，因而擁有定價優(yōu)勢，而導入20nm制程技術也帶來成本競爭優(yōu)勢。
相較之下，美光則成為今年的大輸家，就是因為該公司的20nm制程技術尚未準備完畢的關系。SK Hynix的情況雖沒有美光嚴重，但也在今年面臨類似困境。不過，美光、SK Hynix明年有望順利拉升20nm制程技術與DDR4/LPDDR4產能，有望扳回一城、贏回原來被三星奪走的利潤。
韓媒則指出，三星、SK Hynix與美光預料都會在明(2016)年開始量產18nm制程技術的DRAM，下一個目標則將瞄準10nm。
BusinessKorea 10月13日報導，三星、SK Hynix在量產18nmDRAM之后，打算運用ASML制造的極紫外光(EUV)微影設備，目標是在2020年將DRAM制程技術逐步從15nm進一步演進至10nm。美光也打算在一年內對日本廣島廠注資1,000億日圓(相當于8.34億美元)、量產16nm制程DRAM，產量可較20nm制程多出20-30%，對三星與SK Hynix構成威脅。
不過，想要克服20nm制程的限制，則必須改變介電層的設計，才能使用原子結構比現有的分子結構更為緊密的材料，而美光目前還未取得相關技術，也讓市場專家對美光的野心產生懷疑。另外，若想要導入16nm制程技術，美光也需購入每臺要價1,000億韓圜(8,700萬美元)的EUV設備，該公司對日本的投資額還不太夠，而ASML每年也僅能生產7-8臺EUV設備。
相較之下，三星打算在明年下半年開始量產18nmDRAM，并計劃將DRAM的制程技術從18nm演進至15nm、并于2020年進一步拉升至10nm。SK Hynix在今年第3季成功量產20nmDRAM之后，將在明年第1季研發(fā)18nm技術、希望最快能趕在明年下半年量產18nmDRAM。業(yè)界消息人士指出，三星在20nmDRAM與競爭對手保持了一年(甚至更多)的差距，但在10nm預料會面臨對手競爭。
