2015年Flash原廠加速向1ynm TLC轉進,相較于1ynm MLC 每片晶圓將增加大約30%的產量,而成本也將降低大約20%。在原廠技術提升的驅動下,NAND Flash價格下滑是必然的趨勢,然而2015年全球智能型手機需求增速放緩,平板出貨大幅衰退,PC需求持續不振,均加速市場價格下滑。
2015上半年市場需求疲軟,下半年在傳統旺季需求帶動下,市場需求雖然有所好轉,但仍低于市場預期。據蘋果Q3財報顯示,iPhone 銷量達4805萬臺,雖較去年同期增長22%,但是低于市場分析師所預期的4900-5300萬臺的銷售量。據工信部9月統計數據,國內手機市場出貨量4220萬,較8月出貨下滑10%。
受市場需求疲軟影響,據中國閃存市場網ChinaFlashMarket報價顯示,近3個月Flash綜合價格指數跌幅達10%,其中Micro SD 16GB(CL4)跌幅高達20%,eMMC、SSD等主流應用的產品價格也下滑10%左右。DRAM價格亦同樣疲軟,DDR3 4Gb價格跌幅在8%-15%,由于PC需求將會持續低迷,預計價格恐將持續跌至2016年第二季度。
面對DRAM與NAND Flash價格持續下滑,存儲器原廠均在2016年加快技術提升與提高研發投入,以更低的成本優勢強化市場競爭力。
據了解,三星京畿道華城17產線在2016年初將開始采用18nm工藝投產DRAM,月產量從4萬片提高到5萬片;在大陸西安廠將采用最新的48層V-NAND技術,提高3D NAND產量,以鞏固市場主導權。
SK海力士計劃在第4季采用20nm生產DRAM,目標在2016年中達到總產量的一半,至于京畿道利川廠M14工廠1樓使用的生產設備已大部分搬入,量產項目待定,未來會根據市場情況,考慮把M14 2樓作為3D NAND產線。
東芝計劃將在2016年第一季度采用最新的48層3D NAND在改建的Fab 2工廠量產,美光則和英特爾聯合研發3D Xpoint布局SSD市場,同時擴建的Fab 10工廠將用于生產3D NAND,英特爾則將中國大連工廠改造為存儲芯片廠,很有可能用作生產最新的3D Xpoint。
除了面對NAND Flash和DRAM價格下跌的壓力,2015年政府大力支持國內企業發展集成電路產業,清華紫光入股硬盤大廠西部數據獲得15%的股權,隨著西部數據收購NAND Flash大廠SanDisk,紫光間接獲得了NAND Flash上的資源,之后紫光取得力成25%股權布局封測環節,近期同方國芯打算把募資中的600億元擬新建存儲芯片廠,大陸加速促進國內存儲產業供應鏈整合,或多或少給原廠也帶來了一些壓力。
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