8086/8088有七種基本的尋址方式：立即尋找，寄存器尋址，直接尋址，寄存器間接尋址，寄存器相對尋址，基址加變址尋址，相對基址加變址尋址。
NAND Flash的尋址方式和NAND Flash的memory組織方式緊密相關。NAND Flash的數據是以bit的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell中只能存儲一個bit。這些cell以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device的位寬。這些Line會再組成Page，通常是528Byte/page或者264Word/page。然后，每32個page形成一個Block，Sizeof(block)=16kByte Block是NAND Flash中最大的操作單元，擦除就是按照block為單位完成的，而編程/讀取是按照page為單位完成的。所以，按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類地址：
-Block Address
-Page Address
-Column Address
首先，對于NAND Flash來講，地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞，數據寬度可以是8位或者16位，但是，對于x16的NAND Device，I/O[15:8]只用于傳遞數據。清楚了這一點，我們就可以開始分析NAND Flash的尋址方式了。
以528Byte/page 總容量512Mbit+512kbyte的NAND器件為例：因為1 block="16kbyte"，512Mbit="64Mbyte"，Numberof(block)=1024 1block="32page", 1page="528byte"=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area) 用戶數據保存在main area中。512byte需要9bit來表示，對于528byte系列的NAND，這512byte被分成1st half和2nd half, 各自的訪問由所謂的pointer operation命令來選擇，也就是選擇了bit8的高低。因此A8就是halfpage pointer（這是我給出的一個名字），A[7:0]就是所謂的column address。32個page需要5bit來表示，占用A[13:9]，即該page在塊內的相對地址Block的地址是由A14以上的bit來表示，例如512Mb的NAND，共4096block，因此，需要12個bit 來表示，即A[25:14]，如果是1Gbit的528byte/page的NAND Flash，則block address用A[26:24]表示。而page address就是blcok address|page address in block。
NAND Flash的地址表示為：
Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address
地址傳送順序是Column Address, Page Address, Block Address。由于地址只能在I/O[7:0]上傳遞，因此，必須采用移位的方式進行。例如，對于512Mbit x8的NAND flash，地址范圍是0~0x3FF_FFFF，只要是這個范圍內的數值表示的地址都是有效的。
