U盤工廠：三星明年上半年將量產14nm NAND

    韓國媒體報導指出，三星預計2016年上半年開始量產14nm NAND Flash，并且1月底在舊金山舉行的國際固態電路論壇（ISSCC）上就有成品可先行展出。
    與16nm相比，14nm浮動閘極面積將減少12.5%，這意謂著每片晶圓的內存芯片產出將增加，而平均生產成本則降低，使得產品更具價格競爭力。除了三星之外，海力士從年初時也下決心著手開發14nm技術，研發工作預估將在明年上半年完成，年末應可順利進入量產。
    閃存是將電子包入浮動閘極，藉以此永存儲信息。業界原認為15~16nm是內存維縮極限的原因在于，浮動閘極面積會隨維縮制程縮小，面積太小則將導致電子存儲空間不足。不過，三星似乎已想到方法克服這項障礙。

2015-12-30 09:35:40