SD卡工廠：1xnm DRAM芯片明年將量產

    DRAM主力制程才剛進入20nm，市場傳出三星、SK海力士、美光在2016年將開始量產1xnm DRAM，三星最早預定是2016年第一季度，美光的進度最慢，但也已經表態將會在2016年爭取量產1xnm制程。
    三星、SK海力士、美光這三家廠商的DRAM市場供應量合計超過85%，目前正致力于在2016年進入1xnm制程的DRAM量產，其中以三星的進度最快，去年3月份才量產了20nm制程，目前已經完成了1x nm量產的驗證工作，預計2016年第一季就可以量產新制程的DRAM。
    SK海力士的進度比三星略慢，2016年上半年也會完成1xnm制程的DRAM開發工作，并爭取于2016年下半年量產。美光的進度雖是最慢的，但美光的CEO也表態稱2016年目標除了提升20nm產能之外，也會爭取量產1xnm制程的DRAM。
    NAND Flash芯片在2013年從20nm等級進入10nm等級，由于需要更精密的工藝技術，量產的難度增加，各原廠的工藝制程也出現了顯著的差異，且同時傳出原廠制程切換不順的消息，如今DRAM向20nm以下發展，或將面臨NAND Flash曾經所遇到的技術問題。
    市場更關注的是價格，2015年由于PC市場需求持續不振，標準DRAM價格也受影響呈疲軟狀態，Mobile DRAM受惠智能型手機需求帶動跌價不深，中國閃存市場網認為，2016年DRAM原廠積極向1xnm工藝轉進，較上一代20nm將進一步降低成本，這對2016年DRAM價格將造成一定的沖擊。同時，原廠更精密工藝量產也將迎來挑戰，能否順利進入量產需要密切觀察，對于DRAM市場2016年是一個關鍵年。