TF卡工廠：傳東芝攜SanDisk砸4000億日圓建3D Flash新工廠

    三星電子領先全球同業、于2014年10月搶先量產3D架構的NAND Flash 產品，不過三星競爭對手東芝(Toshiba)也拼了，除3D Flash專用廠房于2015年啟用之外，還傳出將砸4000億日圓倍增3D Flash產能。
    TF卡封裝大廠報導，東芝計劃攜手SanDisk在日本三重縣四日市興建一座NAND Flash新工廠，最快將在2017年度啟用量產，目標為藉此將采用3D架構的NAND Flash產能提高至現行2倍水平。據報導，上述NAND Flash新廠將坐落在現行四日市工廠附近，預計將在2016年度動工興建，投資額將超過4,000億日圓，設備投資費用將由東芝和SanDisk均攤。
    TF卡協會指出，3D Flash需求看俏，東芝位于四日市工廠內的3D Flash專用廠房甫于2015年啟用，而東芝計劃藉由興建上述新工廠，來確保有充足的3D Flash產能、以因應市場需求。據報導，3D Flash設備投資競爭激烈，南韓三星電子已利用中國西安工廠量產3D Flash，美國美光(Micron)、南韓SK Hynix也已導入生產。
    東芝去年10月21日宣布，于2014年9月動工進行改建的NAND Flash生產據點“四日市工廠”第2廠房(以下稱新第2廠房)部分工程已完工，且東芝已和SanDisk簽訂正式契約，將攜手對新第2廠房進行設備投資。
    東芝指出，上述新第2廠房將在2015年度第4季(2016年1-3月)開始進行生產，且期望藉由該廠房建構3D NAND Flash的生產體制，藉此加快2D NAND Flash產品轉換至3D NAND Flash的速度。東芝表示，該新第2廠房所有改建工程預計將在2016年上半年內完工，而其具體產能、生產計劃等細節將待評估市場動向后再行決定。
    三星于2014年量產的3D NAND Flash產品為垂直堆棧32層，但東芝已研發出超越三星的制造技術、可堆棧48層。東芝和SanDisk去年8月3日宣布開發出48層的3D NAND Flash。BGR報導，東芝和SanDisk采用15奈米制程，打造出新3D NAND Flash，據稱速度為業界之冠，并更具能源效益。盡管東芝新聞稿未提及可能客戶，BGR稱，假定蘋果(Apple)沿用舊有供應商，這么一來新的3D NAND Flash或許將用于iPhone 7。