存儲器龍頭三星電子為了對應市場消沉的狀況，預計將大幅縮減2016年的投資。比起大量生產，將以高附加價值產品為中心，只進行保守性的投資，是要確保收益的策略。反之，東芝(Toshiba)等公司計劃增加投資，縮減與三星差距。
SD卡業內人士表示，比起已用V-NAND技術獨占3D NAND市場的三星來說，其它從2016年才要開始量產的業者們，得要投資更多才可能縮小與三星的技術差距。雖然新的一年市場條件不好，但在后方追擊業者們卻來勢洶洶。
2016年三星NAND Flash投資展望是20億美元，比起2015年的33億美元大幅縮減。DRAM投資展望也是只有53億美元，預計比起2015年將減少10億美元。NAND和DRAM加總起來，存儲器全部投資展望是73億美元，比起2015年減少約23億美元。
SD卡相關人士表示，投資狀況會跟著市況有很大的變動，目前無法確定金額。縮減投資的理由是因為全球經濟萎縮，對IT產品的需求整體下降，產品價格也走弱。以DDR4 4Gb為基準，DRAM價格在2015年6月是3.7美元，到12月已經跌到2.1美元左右了。
值得注意的是，其它競爭對手們如果要趕上技術領先的三星，只能持續的增加投資。存儲器排名第二的SK海力士(SK Hynix)已發表2016年將維持2015年的水平，預計將投資6兆韓元(約50億美元)以上。
2016年投資將集中擴大投資于3D NAND市場中。將投資最多的是與SanDisk合作的東芝，預計將投資34億美元；美光(Micron)投資金額預計將為23億美元，比2015年增加了8億美元；宣布要進入NAND市場的英特爾(Intel)也將新增15億美元的投資。
首先，東芝和SanDisk將一起投資5兆韓元以上，預計將在日本三重縣四日市新建NAND工廠。東芝在2015年第3季NAND市占率為30.3%，緊跟在龍頭三星電子的36.7%之后。東芝與SanDisk的投資預計大陸也會連帶受惠。業界意見指出，SanDisk被紫光集團給間接收購了，因此也有可能跟大陸業者擴大合作。
而三星則預計用先進技術為武器，來甩開追擊的競爭業者。SD卡相關人士表示，三星在2015年就已經先進行了許多必需的基本設備投資，所以預計2016年將以高附加價值產品為中心，并聚焦在強化收益上。三星2016年將開始量產使用了10納米微細制程技術的DRAM，以此拉開與停留在20納米對手的差距。
至于三星在西安廠投資將繼續進行，與整體縮減投資無關，并且將增加從2015年開始量產的第三代(48層)V-NAND的比重。預計最近數年間所累積的西安工廠折舊負擔也將逐漸減輕，而收益將更上一層。三星電子在2015年1~9月光是半導體設備就處理了9.3兆韓元的折舊費。
2016-01-28 09:30:57
