導語：2014年蘋果引領高端智能型手機向128GB發(fā)展，2015年搭載128GB容量的旗艦機紛紛涌進，2016年小米5也搭載了128GB大容量，且配備高性能UFS 2.0，瞬間引爆旗艦機128GB UFS 2.0標配的風潮。如今三星又推出256GB UFS 2.0，或刺激高端旗艦機在2017年向256GB推進。
三星V-NAND開創(chuàng)UFS 2.0新高度：256GB大容量、850MB/s超高速
三星宣布開始量產業(yè)界首款256GB容量的UFS 2.0，可達到近兩倍SATA SSD的讀速度，為下一代高端移動設備尤其是智能型手機，提供更優(yōu)異的性能表現，而三星UFS 2.0更加緊湊的尺寸，給智能型手機開發(fā)設計提供更大的靈活性。
三星最新的UFS 2.0采用的是三星最先進的3D V-NAND芯片和自主研發(fā)的高性能控制芯片，滿足智能手機高性能，大容量需求。與2D NAND工藝相比，3D技術的NAND Flash具有更高的速度，更低的功耗、更長的使用壽命和更大的容量，不僅能大幅度提升移動設備的性能，還將為消費者提供更大的存儲空間。
三星最新256GB UFS 2.0最高順序讀寫速度分別為850MB/s和260MB/s，讀取速度近SATA III SSD的兩倍，最高隨機讀寫速度可達45,000 IOPS和40,000 IOPS，較上一代UFS產品快兩倍以上，可謂將UFS 2.0性能推上了另一個新高度。
三星還表示，最新UFS 2.0足夠支持高性能移動設備實現復雜且多任務應用程序處理，比如：4K超高清電影分屏播放、流順的超高清視頻播放、批量搜索圖像文件以及下載視頻片段等，而256GB大容量是為數據存儲提供的更大的空間，以滿足消費者移動設備存儲的靈活性。
2016年48層3D NAND將開啟256Gb大容量存儲時代
2016年Flash原廠NAND Flash工藝將向1znm（12-15nm）推進，更接近2D NAND物理可量產的極限，讓Flash原廠加快向3D NAND技術切換，預計2016年底3D NAND市場占有率將達20%，2018年將提高到45%，逐漸成為NAND Flash主流。
三星最早在2013年推出24層3D NAND，2015上半年3D NAND以32層TLC量產128Gb為主，下半年投入48層TLC量產，計劃2016年底實現64層TLC V-NAND量產。東芝也將在2016年投入48層3D NAND量產，SK海力士、美光等也在加快向48層3D NAND導入。
隨著Flash原廠技術的發(fā)展，2016年三星、東芝、美光、SK 海力士等會擴大或進入48層3D NAND量產，采用48層TLC架構可將NAND Flash Die存儲密度提升至256Gb，預計256Gb將成為Flash原廠主力量產的容量，若64層堆棧預計可將容量增加至512Gb，2017年將催生更大容量的閃存產品。
2016年旗艦機迎128GB UFS 2.0搭配潮，2017年或向256GB邁進
蘋果是智能型手機革新的領導者，最先引領高端旗艦機向128GB容量推進，吹響智能型手機向更高容量升級的號角。緊跟蘋果步伐，2015年三星Galaxy S6、樂視超級手機Max、華為Mate 8等旗艦機也紛紛增加了128GB容量選擇，同時消費者對128GB容量存儲的需求也在不斷升溫。
2016年初最新發(fā)布的Galaxy S7、樂視Max Pro、小米5陸續(xù)搭載了128GB容量，且配備的是高性能的UFS 2.0。在小米5這種高性價比智能型手機搭載128GB UFS 2.0的情形下，以及三星積極縮短UFS 2.0與eMMC之間的差價，引導市場由eMMC向UFS轉移，勢必會刺激更多旗艦機跟進，引爆旗艦機128GB UFS 2.0的風潮。
隨著更多旗艦機搭載128GB大容量，作為領導者的蘋果和三星，智能型手機容量將向256GB升級，畢竟三星已發(fā)布了256GB容量的UFS 2.0。但遺憾的是Galaxy S7并未搭載256GB容量，預計蘋果iPhone 7極有可能搭載256GB容量，這將給NAND Flash產業(yè)帶來積極正面的市場效應，而在蘋果的引領下，2017年旗艦機或向256GB邁入。
閃存卡工廠
