據DIGITIMES報道稱，近期紫光集團旗下長江存儲已成功研發32層3D NAND Flash芯片，正在加快步伐，縮短與國際大廠三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)∕英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)∕西部數據(WD)等之間的技術差距。
中國近幾年不斷加大對半導體產業的投資，尤其是在存儲器領域芯片制造上的投入。由于存儲器技術研發難度高，專利又集中在歐美大廠手上，業界對于大陸發展存儲器計劃多抱持保守態度，然近期長江存儲在3D NAND技術研發進度超乎市場預期。
長江存儲是專注于3D NAND技術的代表隊，更是紫光集團投入半導體產業的重量級代表作。業內半導體人士透露，長江存儲11月將32層3D NAND芯片導入SSD內，進行終端產品測試成功，代表大陸3D NAND研發邁入新里程碑。長江存儲原本規劃12月底才提供32層3D NAND樣本，然該顆芯片樣本提前出來，且第一版就通過終端實測，象征研發獲得重大突破。
雖然最關鍵的研發一環已有小成，但后期量產的良率也是成敗的關鍵，未來要進入量產，勢必要達到一定的良率，確保每片3D NAND的可用晶圓數量，成本結構才會具有市場競爭力。
在產能規劃方面，業者透露，長江存儲已預定5000片產能的機臺設備，預計2018年第2季投入試產，進度快慢要看良率而定，一旦長江存儲3D NAND大量投片產出，可望打破全球3D NAND門票都掌握在國際大廠的局面。
長江存儲投入3D NAND技術研發還不到兩年，過去大陸NAND Flash技術研發主力是武漢新芯，其透過飛索(Spansion)技術授權，生產NOR Flash和SLC型NAND，長江存儲于2016年7月成立之后，并購武漢新芯100%股權，成為大陸存儲器研發及生產中心。
根據長江存儲先前揭露的計劃，32層3D NAND主要是技術打底的動作，大陸真正視為主流的是64層3D NAND技術，這也是目前三星、東芝、美光、SK海力士等NAND Flash大廠主流的技術。若大陸成功發展64層3D NAND技術，且全面大量投產，將有機會與三星、東芝、SK海力士等拉近差距，同時也標志者中國在NAND Flash芯片制造上能夠達到國際水平。
中國發展半導體產業，除了加強3D NAND技術研發，對DRAM存儲器也非常的感興趣。就在上個月，兆易創新宣布與合肥市產業投資控股(集團)有限公司簽署了《關于存儲器研發項目之合作協議》，將開展19nm制程工藝存儲器 (含DRAM等)的研發項目，目標是在2018年12月31日前研發成功。合肥長鑫在2017年上半年稱將投資72億美元建12吋DRAM廠，這些項目都是著手DRAM研發或生產。
盡管目前三星、東芝、SK海力士都已進入64層和72層3D NAND技術，長江存儲現在才成功研發32層技術，但大陸的投入力不可小覷，未來與國際大廠一較高下也不無可能。
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