近期，U盤工廠三星、U盤工廠東芝/西部數(shù)據(jù)、U盤工廠英特爾/美光、U盤工廠SK海力士，以及U盤工廠長江存儲均發(fā)布了其創(chuàng)新技術(shù)和戰(zhàn)略規(guī)劃。總結(jié)各家U盤工廠原廠技術(shù)發(fā)展，2018下半年目標是進入64層QLC NAND和96層TLC NAND量產(chǎn)階段，2019年推進96層QLC NAND技術(shù)發(fā)展，使得3D NAND單顆容量向1Tb以上邁進。
隨著3D NAND技術(shù)的快速發(fā)展，可以預(yù)見QLC將會取代TLC，猶如TLC取代MLC一樣，而3D NAND單顆Die容量的不斷翻倍增長，將推動消費類SSD向4TB邁進，企業(yè)級SSD向8TB升級，QLC SSD將扛起取代HDD的大旗。
三星開始量產(chǎn)96層3D NAND和64層QLC的SATA SSD
作為NAND Flash市場的領(lǐng)先者，三星早在2013年就開始投入3D NAND，2018年三星已開始大規(guī)模生產(chǎn)第五代96層V-NAND，相較于上一代64層V-NAND，生產(chǎn)率可提高30%以上。目前三星基于96層推出的是256Gb V-NAND，數(shù)據(jù)存儲速度提高40%達到1.4Gbps，之后會基于QLC架構(gòu)推出高達1Tb容量的V-NAND。
此外，三星也已大規(guī)模生產(chǎn)基于QLC SATA SSD，基于64層單顆Die 1Tb QLC（4-bit）V-NAND，新的QLC SSD搭載了32顆芯片，最高容量高達4TB，具有TLC SATA SSD一樣的性能水平，提供540MB/s的讀取速度和520MB/s的寫入速度，3年質(zhì)保。
東芝/西部數(shù)據(jù)量產(chǎn)96層3D TLC NAND，QLC將在2019年初量產(chǎn)
東芝和西部數(shù)據(jù)早在2017年就宣稱已成功研發(fā)出96層和QLC技術(shù)，2018上半年加大Fab6工廠設(shè)備投資，以及建新工廠Fab7，下半年宣布量產(chǎn)96層3D TLC NAND，以及成功開發(fā)出96層QLC（4-bit）NAND。
東芝96層3D TLC NAND將在Q4擴大出貨，還推出新XG6系列SSD，容量從256GB起跳，最高達1TB，以及提出基于XL-Flash低延遲3D NAND，類似于模擬成SLC NAND一樣。西部數(shù)據(jù)稱成功研發(fā)的96層QLC（4-bit）NAND，單Die容量最高可達1.33Tb，正在送樣階段，將優(yōu)先用于SanDisk品牌下銷售的消費級閃存產(chǎn)品，下半年批量出貨。
U盤工廠美光與U盤工廠英特爾發(fā)布3D QLC NAND，采用QLC技術(shù)SSD出貨
U盤工廠美光與U盤工廠英特爾開始量產(chǎn)64層QLC（4-bit）NAND，單顆Die容量達1Tb，美光基于64層QLC NAND推出5210 ION系列SSD，且已開始對戰(zhàn)略合作伙伴的客戶出貨，預(yù)計Q4將會擴大供貨。英特爾基于64層QLC NAND針對數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域推出PCIe SSD D5-P4320，容量最高8TB，針對消費類市場推出660P系列SSD，最高容量2TB。
U盤工廠美光和U盤工廠英特爾聯(lián)合研發(fā)的第二代3D Xpoint將于2019年上半年面世，下一代的96層3D NAND已送樣給客戶，預(yù)計將在2018年底量產(chǎn)。
U盤工廠SK海力士推出4D NAND，96層堆疊512Gb TLC
U盤工廠SK海力士推出的4D NAND，采用CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型），存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P/E次數(shù)多）。與傳統(tǒng)架構(gòu)相比，4D NAND的外圍電路（PUC，Peri.Circuits）架構(gòu)，可縮小芯片面積、縮短處理工時、降低成本。與采用72層堆疊的V4 3D TLC相比，96層堆疊的4D NAND面積減小30%、讀速提升25%、寫速提升30%。
U盤工廠SK海力士4D NAND初期是96層堆疊的512Gb TLC，I/O接口速度1.2Gbps，預(yù)計將在今年Q4送樣。SK海力士還將推出96層QLC NAND，單Die容量1Tb，預(yù)計將在2019年下半年送樣。
U盤工廠長江存儲公布新技術(shù)Xtacking，將用于64層3D NAND，2019年投產(chǎn)
U盤工廠長江存儲（YMTC）發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking，為3D NAND帶來高I/O性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期，榮獲美國FMS峰會“最具創(chuàng)新初創(chuàng)閃存企業(yè)”大獎。
U盤工廠長江存儲Xtacking技術(shù)使得產(chǎn)品開發(fā)時間縮短三個月，生產(chǎn)周期可縮短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，將外圍電路置于存儲單元之上，比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。 U盤工廠長江存儲已在武漢存儲基地生產(chǎn)32層3D NAND，新Xtacking技術(shù)會應(yīng)用于第二代64層3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)，計劃于2019年實現(xiàn)量產(chǎn)。”
