存儲卡工廠三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)雙雙投入極紫外光(EUV)技術(shù)的DRAM制程研發(fā)，欲在存儲器市場取得更大領(lǐng)先。日前三星電子宣布已完成技術(shù)研發(fā)，即將進(jìn)入EUV商用化階段，引起業(yè)界關(guān)注后續(xù)發(fā)展。
據(jù)韓媒Business Post報導(dǎo)，存儲卡工廠三星電子日前表示即將在7納米系統(tǒng)半導(dǎo)體代工生產(chǎn)啟用EUV技術(shù)，后續(xù)也會將EUV技術(shù)延伸到DRAM生產(chǎn)。三星是目前唯一成功在系統(tǒng)半導(dǎo)體導(dǎo)入EUV制程的業(yè)者，將EUV技術(shù)用在DRAM領(lǐng)域?qū)⒅溉湛纱?/span>
三星電子表示，準(zhǔn)備從10納米中段(1y)DRAM開始采用EUV技術(shù)，逐漸擴(kuò)大到10納米以下制程，提高超高速、超大容量DRAM產(chǎn)品的技術(shù)競爭力。
SK海力士最近發(fā)表利川新存儲卡工廠興建計畫，也松口會提高投資規(guī)模，采用最新EUV技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。韓國業(yè)界表示，SK海力士持續(xù)進(jìn)行EUV技術(shù)研發(fā)，待工廠完工時應(yīng)可順利與新技術(shù)接軌。
以EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM在存儲器市場將相當(dāng)具有競爭力，因為產(chǎn)品不但能提高性能與電力效率，芯片體積也可縮小，使每片晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量增加，有效節(jié)省生產(chǎn)成本。DRAM價格易受市場景氣影響波動，對業(yè)者而言，降低生產(chǎn)成本至關(guān)重要。
目前為止DRAM業(yè)者的技術(shù)水平差距不大，產(chǎn)品性能也未存在太大差異，使業(yè)者之間只能不斷進(jìn)行激烈的價格競爭。但若存儲卡工廠三星電子與SK海力士采用EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM，所提高的產(chǎn)品水平將更易于滿足客戶需求。
尤其人工智能(AI)服務(wù)器與自駕車等新興科技領(lǐng)域?qū)RAM的質(zhì)量要求提高，訂單恐會涌向生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)先的DRAM業(yè)者。相較于美光(Micron)對采用EUV技術(shù)態(tài)度較為消極，三星電子與SK海力士積極以新技術(shù)欲維持領(lǐng)先。
存儲卡工廠三星電子表示，在半導(dǎo)體生產(chǎn)采用EUV技術(shù)之后，將可讓5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展速度加快，后續(xù)將會擴(kuò)大EUV技術(shù)應(yīng)用，提供客戶更完善的產(chǎn)品服務(wù)。
韓國分析師預(yù)測，2019年起半導(dǎo)體業(yè)者將調(diào)整策略，減少DRAM方面的投資，有助市場景氣維持良好。亦即包括存儲卡工廠三星電子、SK海力士在內(nèi)的DRAM業(yè)者會放慢DRAM投資腳步。
