SD卡工廠觀望：NAND Flash廠拼制程,但是否量產(chǎn)是關(guān)鍵
全球4大NAND Flash陣營除了持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)外，同步都在制程技術(shù)上下猛藥，除了既有的24、25、26、27奈米制程，下半年都預(yù)計轉(zhuǎn)進(jìn)19、20和21奈米制程技術(shù)，強(qiáng)化其成本競爭力；不過業(yè)界指出，不管是19、20和21奈米制程，技術(shù)層次相同，只是端出的數(shù)字不同，是否真能步入量產(chǎn)才是重點(diǎn)，但現(xiàn)在OEM系統(tǒng)廠對新制程的認(rèn)證時間都拉長一倍，顯見制程與質(zhì)量間未必成正比。
2011年NAND Flash市場和DRAM產(chǎn)業(yè)一樣，都是合約市場熱、現(xiàn)貨市場冷，原因之一是終端應(yīng)用兩極化，現(xiàn)貨市場最大宗應(yīng)用是快閃記憶卡和隨身碟產(chǎn)品，2011年已逐步邁入飽和，成長性極度缺乏，相對的，合約市場應(yīng)用集中在平板計算機(jī)(Tablet PC)和智能型手機(jī)(Smartphone)上，卻是2011年最受注目的產(chǎn)品。
另一原因是NAND Flash大廠制程技術(shù)不斷演進(jìn)，但芯片質(zhì)量卻不斷打折扣，導(dǎo)致系統(tǒng)大廠如蘋果(Apple)等，認(rèn)證時間增加一倍，例如以前在30奈米世代，大廠認(rèn)證時間要3~6個月，但到了26奈米或27奈米世代，認(rèn)證時間拉長至6~9個月，同時也傳出三星電子(Samsung Electronics)的27奈米和東芝(Toshiba) 24奈米，都還沒通過蘋果iPad和iPhone認(rèn)證。
內(nèi)存業(yè)者表示，以目前4大陣營的制程進(jìn)度來看，雖然第1階段20奈米制程競賽是以美光(Micorn)和英特爾(Intel)搶頭香，領(lǐng)先量產(chǎn)25奈米，之后三星27奈米制程、東芝24奈米制程、海力士(Hynix) 26奈米制程陸續(xù)問世，進(jìn)入下半年后，NAND Flash大廠則是轉(zhuǎn)進(jìn)第2階段的20奈米競賽。
其中三星從27奈米轉(zhuǎn)進(jìn)21奈米制程，美光／英特爾陣營和海力士則是轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程，東芝更是不甘示弱，宣布下世代制程將是全球體積最小的19奈米制程，打破業(yè)界認(rèn)為NAND Flash技術(shù)到20奈米以下就走不下去的說法。
不過業(yè)者表示，制程技術(shù)微縮越來越困難，所以NAND Flash廠都喜歡在數(shù)字上做文章，不論是19、20或是21奈米制程，技術(shù)都是同一層次，要真正進(jìn)入量產(chǎn)階段才算數(shù)，且屆時良率也是關(guān)鍵，否則制程的數(shù)字定義其實(shí)沒有太多實(shí)質(zhì)意義。
