據(jù)報導(dǎo)，IBM超高密度賽道內(nèi)存(Racetrack Memory)開發(fā)已有新的進(jìn)展，爾后新款內(nèi)存可同時保有硬盤超高容量，與閃存的微型、高速、耐用特性，原型產(chǎn)品預(yù)估可望于2年后亮相。
據(jù)報導(dǎo)，賽道內(nèi)存存儲技術(shù)首見于2004年，當(dāng)時由IBM旗下的Almaden Research Center研究人員Stuart Parkin所提出。現(xiàn)Parkin所領(lǐng)導(dǎo)的開發(fā)團(tuán)隊(duì)，已確定在電流影響下，賽道內(nèi)存位的移動方式，將可確保記錄數(shù)據(jù)時，不會覆寫到先前存儲的信息。
賽道內(nèi)存中信息位代表著域壁(Domain Walls)，域壁為延奈米線分布的微小磁化區(qū)域，在電流影響下，位會轉(zhuǎn)換成0與1。然與當(dāng)前存儲技術(shù)不同的是，奈米線若為垂直嵌入芯片中，賽道內(nèi)存便可以3維存儲位，再透過磁化讀取。
Parkin指出，對于電流影響下的域壁移動方式，學(xué)者各持不同看法，域壁的移動方式是否有如帶有質(zhì)量的粒子，需費(fèi)時加、減移動速度，過去一直沒有統(tǒng)一定論。現(xiàn)在Parkin發(fā)現(xiàn)，域壁需10奈秒與1微米(μm)的加速距離，方能達(dá)到每秒140公尺的最高速度，于電流中斷后，域壁亦需10奈秒與1微米(μm)的減速距離，方能達(dá)到為全靜止。換言之，域壁移動方式確如帶有質(zhì)量的粒子。Parkin預(yù)計，約于2年后便可看到制作出賽道內(nèi)存原型。
了解域壁的移動方式后，方能透過電流控制內(nèi)存位，史丹福大學(xué)(Stanford University)材料科學(xué)與工程暨電子工程教授Shan Wang解釋，了解賽道內(nèi)存域壁頻率，方能避免在錯誤的區(qū)域?qū)懭胄畔ⅲ辉撗芯堪l(fā)現(xiàn)，離實(shí)際內(nèi)存裝置尚有一段距離。美國Lawrence Berkeley國家實(shí)驗(yàn)室學(xué)者Peter Fischer則指出，開發(fā)人員仍需對賽道內(nèi)存的耐用程度，提出更詳細(xì)的說明。
