2011年最被看好的NAND Flash應用包括固態硬盤(SSD)、平板計算機(Tablet PC)、智能型手機(Smart Phone)等3大類,其中平板計算機和智能型手機需求都以內嵌式內存eMMC為主,而SSD應用也隨著NAND Flash制程技術進入20奈米制程后,單價逐漸下滑,因此開始進入消費性計算機、工業領域等市場。
目前消化NAND Flash芯片最大宗的應用仍以手機為主,其他包括快閃記憶卡、MP3播放器、隨身碟等應用都持續萎縮,而手機對于NAND Flash芯片的消化,過去以外接式記憶卡microSD為主,目前趨勢則轉為內嵌式內存eMMC,或是SSD變形的iSSD和mSATA等產品。
2011年的NAND Flash產業位成長率(Bit Growth)上,主要來自于擴產和制程微縮兩項貢獻,目前包括
三星電子(Samsung Electronics)、
美光(Micron)/
英特爾(Intel)、
東芝(Toshiba)/
新帝(SanDisk)3大陣營都有新建新12吋晶圓廠計劃;海力士(Hynix)既有的廠房也持續增加產能,而原本態度遲疑的
英特爾,也在日前宣布與
美光一起擴建新加坡12吋晶圓廠,宣示持續投資NAND Flash產業。
在制程技術上,
美光和
英特爾陣營藉由25奈米制程量產再度搶頭香,但進入下半年之后,各陣營新制程均加緊腳步,其中
三星將從既有的27奈米轉進21奈米制程,
美光/
英特爾陣營計劃從25奈米轉進20奈米制程,海力士也打算轉進20奈米制程,而
東芝更是宣布推出全球體積最小的19奈米制程產品。
總和各家的進度,預期2011年NAND Flash產業的位成長率約80~85%,新產能貢獻主要會集中在年底,而最大應用則以平板計算機和智能型手機為主。