NAND Flash應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)入傳統(tǒng)淡季的效應(yīng)在快閃記憶卡和隨身碟市場相當(dāng)明顯，預(yù)計將持續(xù)至6月；系統(tǒng)產(chǎn)品如智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)的需求因為仰賴少數(shù)客戶的訂單，因此淡季效應(yīng)也仍在，NAND Flash市場從5月開始明顯走入供過于求的情況。
據(jù)統(tǒng)計，5月上旬的NAND Flash合約價持續(xù)下跌2~10%，反應(yīng)市場走入傳統(tǒng)淡季后，開始形成供過于求的情況，而原本擔(dān)心日本地震可能帶來的供給吃緊，在之前已有預(yù)期心理而充分補貨下，多數(shù)下游客戶的庫存水位都已墊高，短期內(nèi)沒有再大幅補庫存的需求，也導(dǎo)致價格下跌。
展望后市，預(yù)估NAND Flash市場將自5月份起將轉(zhuǎn)為供過于求的狀況，合約價格在第2季中后期將會由4月份的持穩(wěn)狀況，轉(zhuǎn)為下跌的走勢。
目前影響NAND Flash市場的因素相當(dāng)多，主要還是需求端買氣不振，不只是快閃記憶卡和隨身碟的需求相當(dāng)疲弱，且預(yù)計將持續(xù)至6月，系統(tǒng)產(chǎn)品如平板計算機及智能型手機的需求也多數(shù)仰賴少數(shù)客戶的大訂單，因此整體市場并不熱絡(luò)。
再者，NAND Flash大廠制程微縮也使得供給端產(chǎn)出不斷增加，三電子(Samsung Electronics)的27奈米制程成功量產(chǎn)后，下半年要轉(zhuǎn)進(jìn)21奈米制程，美光(Micron)／英特爾Intel)陣營則是從25奈米制程轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米，海力士(Hynix)下半年也要轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程，東芝(Toshiba)則預(yù)計由24奈米制程轉(zhuǎn)進(jìn)19奈米，預(yù)計下半年問世，各家NAND Flash大廠不只2011年第2季的位成長率(Bit Growth)拉高，下半年也相當(dāng)可觀。
加上6月份起NAND Flash供應(yīng)商將開始受到第2季季底因素影響，而采取促銷策略以降低庫存水位。而下游系統(tǒng)產(chǎn)品客戶希望先前3月份因地震不確定因素所推升的價格，若能在新機種推出前適度地降價，將會有助于提升第3季中后期采用搭配較NAND Flash高儲存容量的意愿。
在供給和需求雙重考驗之下，NAND Flash市場開始走入供過于求，合約價也呈現(xiàn)下跌；根據(jù)調(diào)查， NAND Flash供貨商將于6月起為了降低第2季傳統(tǒng)淡季影響，將采取促銷策略以降低庫存水位。
