三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)31日指出，該公司領(lǐng)先同業(yè)展開32 GB內(nèi)存模塊的量產(chǎn)工作，此產(chǎn)品采用30奈米制程的4 Gb DDR 3 DRAM，為云端運(yùn)算與高階服務(wù)器系統(tǒng)所不可或缺的零組件。三星同時(shí)預(yù)估，2012年4Gb密度以上(含)DRAM產(chǎn)量將占整體DRAM的10%以上。
三星電子內(nèi)存銷售/營銷部執(zhí)行副總Wanhoon Hong表示，此內(nèi)存模塊量產(chǎn)使該公司在個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)用DRAM市場(chǎng)上的產(chǎn)品與解決方案競(jìng)爭(zhēng)力方面皆領(lǐng)先群雄。該公司擬于今年下半年推出更省電、以20奈米制程生產(chǎn)的4 Gb DDR3 DRAM，此產(chǎn)品將令快速茁壯的環(huán)保IT內(nèi)存解決方案版圖更形擴(kuò)大。三星30奈米4Gb DDR3芯片生產(chǎn)量約較40奈米者提升50%。
預(yù)估，2012年4Gb DRAM出貨量預(yù)估將占整體DRAM的10%上下，之后兩年市占率分別擴(kuò)大至35%與57%
