5新廠量產(chǎn) NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)戰(zhàn)火延燒，SD卡生產(chǎn)原裝穩(wěn)定

NAND Flash大廠東芝(Toshiba)與快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk)合資的新12吋晶圓廠Fab 5日前宣布投產(chǎn)，預(yù)計(jì)第1批24奈米制程芯片將于8月正式出貨，未來將轉(zhuǎn)進(jìn)19奈米制程；而三星電子(Samsung Electronics)新廠Line 16也將于9月正式投產(chǎn)，預(yù)計(jì)以NAND Flash芯片為主。以2011年第1季全球市占率來看，三星與東芝之間市占差距僅0.3個(gè)百分點(diǎn)，幾乎在伯仲之間，即使傳出智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)需求不如預(yù)期，但雙方在新廠上的擴(kuò)產(chǎn)，恐見不到休兵之日。東芝和新帝在2010年7月宣布，將合資第3座12吋晶圓廠Fab 5，同樣位于日本三重縣四日市，經(jīng)過1年的設(shè)備裝機(jī)和準(zhǔn)備后，日前Fab 5已正式量產(chǎn)，目前東芝和新帝的主流制程為24奈米，預(yù)計(jì)第1批24奈米制程的晶圓將于8月正式出貨，接下來也將導(dǎo)入19奈米制程。經(jīng)過日本311強(qiáng)震洗禮，新帝指出，新廠Fab 5是采用先進(jìn)吸震結(jié)構(gòu)，并整合多項(xiàng)電力補(bǔ)償技術(shù)，以防因意外造成生產(chǎn)線中斷，而在節(jié)能減碳方面，F(xiàn)ab 5也采用LED照明和節(jié)能型生產(chǎn)設(shè)備，F(xiàn)ab 5將達(dá)成全廠二氧化碳排放量比Fab 4減少12%的目標(biāo)；再者，通過一條晶圓運(yùn)輸系統(tǒng)，F(xiàn)ab 5可與Fab 3和Fab 4連接在一起，提升生產(chǎn)制造的效率。而東芝NAND Flash領(lǐng)域上的勁敵三星，其新廠Line 16也將于9月正式投產(chǎn)，NAND Flash芯片將是最主要的產(chǎn)品；根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli統(tǒng)計(jì)，2011年第1季全球NAND Flash市場上，三星和東芝仍分屬第1、2名，但市占率卻已拉鋸到0.3個(gè)百分點(diǎn)，因此未來新12吋晶圓廠產(chǎn)能將是雙方的決勝點(diǎn)。面對三星已蟬聯(lián)全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)寶座長達(dá)8年，東芝不只一次宣示要挑戰(zhàn)三星龍頭寶座，F(xiàn)ab 5量產(chǎn)問世頗有此雄心壯志；以出貨量來看，東芝／新帝在日本的2座12吋晶圓廠，目前單月能約35萬片，三星在華城Line 12、器興Lien 14和美國奧斯汀廠等廠房，相加的產(chǎn)能也約35萬片，未來新產(chǎn)能加入后，預(yù)計(jì)會左右戰(zhàn)局。至于美光(Micron)和英特爾(Intel)也有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，新加坡新12吋晶圓廠則由美光拿下主導(dǎo)權(quán)，顯見美光未來重心將放在NAND Flash產(chǎn)業(yè)上，且積極鞏固技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。東芝／新帝、三星、美光(Micron)等都積極擴(kuò)建NAND Flash產(chǎn)能，主要也是看中智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、固態(tài)硬盤(SSD)無限商機(jī)，當(dāng)科技產(chǎn)業(yè)趨勢往行動(dòng)通訊和系統(tǒng)體積輕薄短小方向移動(dòng)，對于NAND Flash芯片就越有利，取代傳統(tǒng)硬盤的機(jī)率大幅攀升，因此半導(dǎo)體廠的擴(kuò)產(chǎn)競賽絲毫不能懈怠。三星新廠Line 16在2011年4月舉辦完工儀式后，預(yù)計(jì)將于9月正式投產(chǎn)，加上美光和英特爾的新廠也預(yù)計(jì)在第3季末到第4季之間量產(chǎn)，預(yù)計(jì)在2011年底前，東芝／新帝、三星、美光／英特爾(Intel)等新12吋廠將全員到齊。

SD卡   SD卡工廠