日本著名半導體廠商爾必達(Elpida)于今天開始出貨業界首個采用25nm工藝制造的內存顆粒EDJ2104BFSE(2Gbit DDR3 SDRAM，位寬4bit)和EDJ2108BFSE(同為2Gbit DDR3 SDRAM，位寬8bit)。今年五月，爾必達正式宣布業界首款25nm制程DDR3 SDRAM內存芯片開發成功，兩個月過后，開始對外發售產品樣品并同時進行量產。使用此工藝制造的內存顆粒芯片面積為目前世界最小。比起30nm工藝制造的產品功耗可降低15%，待機時降低約20%。該芯片數據帶寬x4-bit/x8-bit，數據傳輸率可達1866Mbps以上。 25nm制程DDR3 SDRAM內存芯片容量為2Gb，供電電壓為1.5V或1.35V，可以做成高性能DDR3-1866或低電壓DDR3L-1600內存條，工作溫度范圍在0-95攝氏度。據爾必達稱，比起當前30nm的產品，新制程的采用讓DDR3 SDRAM內存芯片的儲存單位面積下降了30%，工作電流和待機電流分別下降了15%和29%，同時產量上亦有30%的提升。新產品主要用于制造面向PC以及數據中心中服務器使用的內存。爾必達表示，將于年底開啟25nm 4Gb DDR3 SDRAM內存芯片的量產，相比于現有的30nm 4Gb產品，新制程產品的產能將獲得44%的提升，而且他們還會將25nm制程應用在移動設備內存芯片當中。
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2011-08-02 22:00:29
