韓國教育科學技術部評選出了五位擁有頂尖技術有望推動韓國科學達到新水平的科學家。在物理學領域的教授韓國首爾國立大學物理專門學部的盧泰元(노태원)教授被授予了韓國國家科學家的稱號。
盧泰元教授的研究可以歸納為對氧化物進行研究從而克服半導體尺寸的限制。大多數電腦和家用電器的半導體記憶芯片都是D-Ram內存芯片和Flash Memory Chips閃存芯片。D-Ram內存芯片速度快而且體積非常小，但是他們的缺點就是在關閉的時候會造成信息丟失。此外，Flash Memory Chips閃存芯片雖然運行速度較慢，但可以存儲信息，廣泛的應用于數碼相機和MP3上。科學家已經開始著手研發不會受到這些限制的下一代記憶芯片。他們最后研發出了F-Ram非揮發性鐵電內存芯片，這種芯片既保持了原有D-Ram的尺寸和速度，并可以保存數據長達10年之久。但是目前還沒有可以讓F-Ram芯片變得更薄的技術，這也阻礙了F-Ram芯片商業化開發的步伐。但是，目前盧教授找到了一個解決方法。
事實上，強誘電體有一個缺點。它越薄，就會形成一定的電路，這樣強誘電體就無法在關閉的狀態下存儲數據。這就違背了半導體業界的口號“更薄更小”。但是盧教授從金屬和氧氣發生化學反應產生的金屬銹體上得到啟發，因為金屬銹體和原來的金屬在性能上有很大差異。他于2004年將氧氣和鈹，鈦相結合，最終研發出了世界上首款強誘電體，這種強誘電體可以在厚度為5納米的狀態下保持其電的性能。鑒于傳統的強誘電體厚度一般都是100納米左右，盧教授的成果幾乎是不可想象的。
韓國首爾國立大學物理專門學部盧泰元教授的研究成果能夠推進F-Ram芯片的商業化進程，韓國也將能夠保持它在下一代半導體市場上的領軍地位。現在盧教授已經為自己定下了目標。他正夢想著研發出一種高效率設備，進而能夠推動可再生能源產業。他的努力將能夠開辟一個將物理學概念應用于能源領域的先河。我們贊揚他這種挑戰精神的同時，也希望他能夠在未來為我們帶來更多更先進的科研成果。
