SD卡廠家/三星收購MRAM芯片廠Grandis 海力士可能受影響？
三星電子(Samsung Electronics) 宣布收購美國次世代存儲器芯片STT-MRAM開發公司Grandis，然而Grandis與韓半導體大廠海力士(Hynix)有技術合作關系，因此三星收購Grandis對海力士是否造成影響也格外受矚目。海力士相關人員3日表示，海力士2008年4月開始與Grandis共同執行MRAM開發企畫，合作3年多，近來企畫合作已結束。三星收購Grandis目前尚未對海力士造成影響。此外，他也表示，SD卡工廠在與Grandis共同開發的過程中，已充分取得可將MRAM商用化的必要授權，而Grandis與海力士共同開發前就持有的專利技術，海力士也能不支付權利金繼續使用。 MRAM可用較目前存儲器芯片低的電力驅動，且即使不供電也能儲存信息，同時擁有非揮發性存儲器的優點及穩定性。此外，MRAM也可突破半導體制程技術界限，呈現10納米以下制程。 Grandis的非揮發性存儲技術是DRAM(動態隨機存取存儲器)和NAND閃存未來的競爭者，芯片能耗更低，性能更高。但是，目前大規模制造MRAM芯片的成本過高。三星稱，Grandis將被整合到研發部門中。三星相關研發部門“專注于開發新一代存儲技術，評估新型半導體材料和結構的長期商業價值”。三星和Grandis沒有披露這一交易進一步的詳細資料。Grandis成立于2002年，有約25名員工，尚未發售一款產品。 Grandis業務發展副總裁亞歷克斯·德利斯科爾-史密斯(AlexDriskill-Smith)表示，通過去年與HynixSemiconductor達成的開發協議，該公司生產出了首款54納米芯片。Grandis預計，未來5年該公司的生產工藝將發展到20納米，甚至更先進。 Grandis的MRAM技術比傳統技術更先進。傳統MRAM芯片的工藝一直是99納米。據德利斯科爾-史密斯稱，與廉價的NAND閃存芯片相比，MRAM芯片寫數據的能耗要低得多，“MRAM在許多方面要好于NAND閃存，SD卡NAND閃存芯片在改變每個存儲位的狀態時需要15伏至20伏的電壓，需要的時間量級為微秒，甚至達到毫秒”。海力士與Grandis合作關系結束后，7月與日本東芝(Toshiba)決定設立合作法人，共同開發及生產MRAM，加速MRAM的商用化作業。另一方面，三星7月底收購了持有MRAM原創技術的美商Grandis。三星相關人員表示，無法透露收購花費金額和持股比例等細項，目前也仍未決定收購后是否進行合并。
2011-08-04 20:32:02
