據報導，三星電子(Samsung Electronics)將于8月底投入20納米等級DRAM量產。計算機用DRAM價格近來傳出暴跌，全球存儲器業界遭受沖擊，三星挺進20納米制程，除確保收益性外，也能與后繼業者拉開差距。
三星近來已完成20納米等級DRAM開發，8月內將會投入量產。三星相關人員表示，為轉換至20納米制程，上半年完成了開發作業，近來則完成樣品生產，量產的所有準備作業已完成，目前內部正在思考正式發表的時程。
三星在過去6個月間，致力于提升20納米制程生產良率，近來良率已超越60%，可正式投入量產。三星在舉行第2季法說會時曾表示，年底將會著手進行20納米DRAM量產，若8月底投入量產，則較原計畫提早約3個月。
進入8月后，
SD卡工廠日本爾必達(Elpida)對外宣布已開始生產25納米DRAM，然仍為樣品水平，外電透露，和韓國業者的水平相比，僅與30納米制程產品相當。海力士(Hynix)目前擴大30納米制程比重，并將于年底完成20納米產品的開發。完成開發至量產仍需要相當時間，因此三星量產20納米DRAM已與其它業者拉大6個月至1年的差距。
從30納米制程轉換至20納米制程，產量一般會增加約60%，達到節約生產成本的效果。
SD卡 近來DRAM價格跌到0.61美元，轉換微細制程較遲的日本及臺灣業者生產成本為1美元以上，因生產量越大虧損也越多，臺廠近來紛紛決定減產。若三星轉換20納米制程，即使DRAM價格未反彈，也仍能撐過難關。
韓國半導體專家指出DRAM價格下跌幅度變大，臺廠甚至日廠爾必達都將進行減產。三星提早轉換微細制程，即使面對半導體市況惡化，反而能擴大全球市場占有率，對三星來說將是個良機。
