閃速存儲器（Flash Memory）是一類非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供電電源關閉后仍能保持片內信息；而諸如DRAM、SRAM這類易失性存儲器，當供電電源關閉時片內信息隨即丟失。 Flash Memory集其它類非易失性存儲器的特點：與EPROM相比較，閃速存儲器具有明顯的優勢——在系統電可擦除和可重復編程，而不需要特殊的高電壓（某些第一代閃速存儲器也要求高電壓來完成擦除和/或編程操作）；與EEPROM相比較，閃速存儲器具有成本低、密度大的特點。
DINOR(Divided bit-line NOR)技術是Mitsubishi與Hitachi公司發展的專利技術，從一定程度上改善了NOR技術在寫性能上的不足。DINOR技術Flash Memory和NOR技術一樣具有快速隨機讀取的功能，按字節隨機編程的速度略低于NOR，而塊擦除速度快于NOR。這是因為NOR技術Flash Memory編程時，存儲單元內部電荷向晶體管陣列的浮柵極移動，電荷聚集，從而使電位從1變為0；擦除時，將浮柵極上聚集的電荷移開，使電位從0變為1。而DINOR技術Flash Memory在編程和擦除操作時電荷移動方向與前者相反。DINOR技術Flash Memory在執行擦除操作時無須對頁進行預編程，且編程操作所需電壓低于擦除操作所需電壓，這與NOR技術相反。
Mitsubishi公司推出的DINOR技術器件——M5M29GB/T320，采用Mitsubishi和Hitachi的專利BGO技術，將閃速存儲器分為四個存儲區，在向其中任何一個存儲區進行編程或擦除操作的同時，可以對其它三個存儲區中的一個進行讀操作，用硬件方式實現了在讀操作的同時進行編程和擦除操作，而無須外接EEPROM。由于有多條存取通道，因而提高了系統速度。該芯片采用0.25μm制造工藝，不僅快速讀取速度達到80ns，而且擁有先進的省電性能。在待機和自動省電模式下僅有0.33μW功耗，當任何地址線或片使能信號200ns保持不變時，即進入自動省電模式。對于功耗有嚴格限制和有快速讀取要求的應用，如數字蜂窩電話、汽車導航和全球定位系統、掌上電腦和頂置盒、便攜式電腦、個人數字助理、無線通信等領域中可以一展身手。
