三星電子(Samsung Electronics)打造號稱全球最大的存儲器晶圓廠，并開始量產20納米世代的DDR 3 DRAM存儲器，華爾街日報(WSJ)稱此舉將不利于臺廠。
三星Line-16存儲器晶圓廠耗資約102億美元，22日起正式運行，初期會生產20納米世代制程的DRAM存儲器芯片，2012年則會轉入10納米世代的制程。
三星在新聞稿中表示，
SD卡 Line-16是產業最新也是全球最大的存儲器晶圓廠，位于韓國京畿道華城市，廠房樓高12層，總面積約19.8萬平方公尺，目前產能預計每月產出1萬片12寸晶圓。
華爾街日報的報導指出，以目前臺灣或日本較小的對手廠商都因市況不佳而減產的情況下，三星此時擴大產能的動作凸顯其市場優勢。三星董事長李健熙表示，全球半導體產業受到景氣循環的劇烈影響，因此必須強化自身技術能力與專業，以便在競爭激烈的半導體產業維持領先地位。
根據研究機構IHS iSuppli的資料，
SD卡工廠 三星在第2季占了全球DRAM Flash市場的41.6%，同期NAND Flash占有率則為41.6%，比東芝(Toshiba)的28.7%還高。
芯片業者要縮小芯片制程技術是因為可以降低成本，芯片上的晶體管元件與彼此之間的距離是用納米來計算，體積愈小、排列越密集，芯片就越強大。
華爾街日報引用韓國Kiwoom證券分析師Lee Jae-Yun的說法指出，三星的最新技術將拉大與臺灣對手之間的距離，甚至迫使其在2012年初退出市場。
SD卡 NAND Flash需求相當健康，這是因為智能型手機(Smartphone)與平板計算機(Tablet PC)銷售不斷成長的關系，而部分廠商減產反而導致供應量減少。
而根據英國網站ZDNET UK的報導，20納米世代制程意味著制程從20納米到29納米都有可能，但三星并沒有精確指出所使用的尺寸。英特爾(與美光合作)曾表示三星制程應該是接近27納米。
存儲器暨儲存研究機構Web-Feet Research執行長Alan Niebel指出，這種20納米「世代」的宣布對三星而言并不好看，因為相較于美光(Micron)/英特爾，或東芝(Toshiba)/新帝(SanDisk)，三星顯然沒跟上自己的制程技術。三星在DRAM制程技術上領先，但宣布的跟實際商用產出的不見得一樣。
英特爾與美光合資的IM Flash在2011年4月宣布開發出20納米世代制程，比三星晚了1年，其20納米世代晶圓廠造價28億美元，不過初期采25納米世代制程進行生產。
三星已經是目前全球最大的存儲器廠商，Line-16的產能加入后，將讓該公司拿下更多市場，而產能增加通常也意味著價格將出現下滑。
