據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics) DRAM存儲(chǔ)器芯片制程技術(shù)從30納米縮減至20納米，再度寫下DRAM微細(xì)制程的新紀(jì)元。三星22日宣布領(lǐng)先全球采用20納米制程量產(chǎn)2Gb容量DRAM，其2010年7月率先采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)DRAM等，
SD卡在轉(zhuǎn)換到20納米制程上也不遑多讓，展現(xiàn)出其DRAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
20納米制程意味著芯片電路的線幅為頭發(fā)的4,000分之1，半導(dǎo)體制程越微細(xì)，便能縮減芯片尺寸，單一晶圓能生產(chǎn)的芯片數(shù)量增加，借以降低生產(chǎn)成本。三星投入20納米制程，較30納米制程DRAM增加約50%生產(chǎn)性，耗電量也較30納米DRAM減少約40%以上，且與目前海內(nèi)外競(jìng)爭(zhēng)廠主要生產(chǎn)的40~30納米DRAM相比，大幅提升產(chǎn)品成本競(jìng)爭(zhēng)力，為劃時(shí)代的制程技術(shù)。
三星20納米制程DRAM投入量產(chǎn)后，將拉大與排名全球第2的海力士(Hynix)及排名第3、4的美光(Micron)及日本爾必達(dá)(Elpida)等海內(nèi)外競(jìng)爭(zhēng)廠的技術(shù)差距。海力士目前主要以30納米制程生產(chǎn)DRAM，計(jì)劃2012年初開發(fā)出20納米制程產(chǎn)品，
SD卡工廠海力士計(jì)劃在完成20納米制程DRAM研發(fā)的同時(shí)投入量產(chǎn)。
在半導(dǎo)體業(yè)界排名第3的爾必達(dá)于2011年7月便對(duì)外宣布，將投入20納米DRAM量產(chǎn)，然而到目前為止仍未見到相關(guān)樣品。韓國(guó)業(yè)界推測(cè)，可能是爾必達(dá)為突破財(cái)政困頓的難關(guān)，搶先發(fā)表仍未完全準(zhǔn)備好的產(chǎn)品內(nèi)容。
三星投入20納米量產(chǎn)后，將能維持業(yè)界最高的收益。韓國(guó)Mirae Esset理事表示，觀察目前DRAM價(jià)格，40納米級(jí)計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品為赤字、30納米產(chǎn)品則勉強(qiáng)有盈余。20納米DRAM在目前的情況下，將可創(chuàng)造穩(wěn)定的收益。
海力士、爾必達(dá)、美光等DRAM業(yè)者仍停留在40~30納米制程，在DRAM跌幅持續(xù)的情況下，三星量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品將能穩(wěn)定自身的收益。且除較難確保收益的計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品外，三星行動(dòng)裝置、服務(wù)器、繪圖DRAM等收益性較佳的特殊DRAM產(chǎn)品銷售比重超過70%，強(qiáng)化其收益構(gòu)造。
