爾必達(Elpida)曾在2011年第2季中因為搶先宣布成功開發(fā)25納米制程DRAM芯片，差點與一向技術領先的三星電子(Samsung Electronics)擦槍走火！三星半導體事業(yè)部社長權五鉉曾表示，
SD卡爾必達25納米DRAM是否能量產(chǎn)要再觀察；巧合的是，三星22日公開宣布20納米DDR3正式量產(chǎn)后，爾必達晚間立刻公布其25納米4Gb DDR3將會于年底量產(chǎn)，頗有互相叫陣的意味。
在全球4大DRAM陣營中，三星受惠于2008年底全球金融風暴所造成的奇夢達(Qimonda)倒閉和臺廠勢力削弱，市占率一舉站上40%大關。而制程技術上，三星一向都是領先競爭對手一個世代，至少1年以上的技術差距，但偏偏遇上不甘示弱的爾必達，在2011年以來，雙方常為了制程技術的宣示時間點而擦槍走火。
2011年中，爾必達表示其25納米制程開發(fā)完成，也大張旗鼓的對外宣布，曾引發(fā)三星不滿，因為外界一度以為三星的制程技術落后爾必達，當時權五鉉表示，當爾必達生產(chǎn)50納米DRAM時，三星已經(jīng)在生產(chǎn)40納米和35納米產(chǎn)品，雖然2009年爾必達也宣布成功開發(fā)40納米產(chǎn)品，但似乎并未在市面上大量見到，然三星一直以來的作法，都是「成功開發(fā)」和「量產(chǎn)」宣言同時發(fā)布。
三星繼表態(tài)不減產(chǎn)后，22日更宣布新12寸晶圓廠Line-16開始運行，將生產(chǎn)NAND Flash芯片，更宣示其20納米制程的DDR3已開始量產(chǎn)。
業(yè)界認為，三星此一宣言，讓臺廠與三星之間的技術制程差距，由過去的1~1.5個世代距離，拉鋸到2個世代甚至超過，對比臺廠中除了瑞晶已全數(shù)轉進40納米，且目前25%產(chǎn)能已開始轉進30納米外，其它如南亞科、華亞科、力晶等，都正處于轉進40納米的過程，然三星卻一舉跳到20納米制程，讓臺廠再度覺得很受傷。
不過業(yè)界也認為，三星的20納米要真正見到大量，至少也要到2012年，產(chǎn)能不可能一下子全轉到20納米制程。
然有趣的是，三星20納米制程量產(chǎn)一宣布，爾必達馬上搶在晚間公布25納米制程4Gb DDR3也預計會在12月開始試產(chǎn)，并同時量產(chǎn)出貨，爾必達公布的時間點如此之亦步亦趨，頗有與三星一較高下的意味。
業(yè)界認為，新制程技術的公布試產(chǎn)和量產(chǎn)，與真正大量出貨的時間點仍是會有落差，但其中技術宣示的意味就顯得相當重要。
業(yè)界進一步分析，爾必達有別于一般日系業(yè)者保守作風，近期在戰(zhàn)術策略上常常是緊咬龍頭三星，雖然業(yè)界都了解其實三星的制程仍是處于較領先的地位，但面對爾必達如此積極地的戰(zhàn)略宣示，看在業(yè)界眼里則是格外有趣，反觀全球二哥海力士(Hynix)則是靜悄悄，而S
D卡工廠(Micron)近期似乎對于NAND Flash市場著墨較多，三星與爾必達的叫陣，反而意外擦出火花。
