東芝挑戰3次元快閃存儲器 SD卡儲存空間再升級

全球NAND Flash龍頭大廠東芝(Toshiba)研發次世代3次元NAND Flash「BiCS」，可望將儲存空間提升至256GB以上，雖然此舉將迫使東芝放棄目前在NAND Flash在擁有的市場優勢，但為了把握日后的市場需求，東芝仍決定進行布局。另一方面，韓國面板大廠三星電子(Samsung Electronics)亦將其視為重要競爭對手，同樣著手研發3次元SD卡 NAND Flash。東芝在設立于三重縣的四日市工廠，著手研發次世代半導體BiCS。該半導體的記憶層可重迭數10層，被視為3次元技術。由于3次元的記憶方式不需仰賴微細化制程，因此記憶容量有望大幅增加，達到目前的10倍以上，達TB規模的儲存量。四日市工廠是負責生產24納米以及19納米NAND Flash的新銳工廠，該廠擁有優秀的微細化技術和生產經驗，將提供分享作為研究3次元NAND Flash的參考。目前東芝正致力于確立制程，估計2013年可開始量產作業。SD卡工廠目前NAND Flash的最大存取空間為64GB，但1片BiCS芯片至少能提供256GB的儲存空間，已是NAND Flash的4倍，未來有望提供TB規模的儲存空間。但對東芝來說，研究3次元NAND Flash有如賭注。東芝已是全球NAND Flash市占率二哥，且握有領先三星的技術優勢。若硬是要進軍3次元NAND Flash，則等于親手放棄現有的大好江山，重先掀起一場激烈的技術競爭。對此，東芝社長佐佐木則夫表示，現有的微細化制程技術遲早會面臨瓶頸，雖然東芝仍打算攻占市占率龍頭位置，但率先對3次元技術布局亦是重要的策略，業界人士指出，至2013年NAND Flash發展至15納米規格后，便很可能無法再突破。SD卡 NAND Flash的回路會儲蓄電荷并在必要時釋放，提供用戶實行資料存取功能，因此若微細化制程將回路切割的愈精密，素子的距離就會愈近。此舉有可能導致素子無法承受電壓，資料出現錯誤。東芝半導體與存儲器社的SSD技師長百富正樹表示，東芝決定提早對應日后將到來的大容量存取要求。東芝對NAND Flash的研究已突破20納米，再過2個世代，很可能就要閉幕，屆時競爭舞臺勢必會移轉。對此東芝半導體與存儲器社社長小林清志指出，信息革命往往會帶來無限商機，且未來用戶對存儲器的需求勢必會激增。根據外電報導，智能型手機(Smartphone)與平板計算機(Tablet PC)、超輕薄NB等行動裝置，很可能在2015年前普及全球。而2015~2020年期間，云端服務將成為主流，屆時服務器亦需要龐大儲存量。東芝若一昧致力于研究NAND Flash，最后很可能無法對應市場需求，導致無利可圖，且其它大廠亦非默默旁觀，根據外電報導，三星已開始研發3次元NAND Flash，并計劃于2012年試產，2013年量產，將東芝視為頭號勁敵。 2011-10-05 12:58:25