三星擴大資本支出 SD卡提高制程

三星電子(Samsung Electronics)原本對全球最大快閃存儲器16產線的投資猶豫不決，近來決定擴大對DRAM投資，以拉開與后繼業者差距。據韓國半導體業者表示，9月以來三星為擴大快閃存儲器和SD卡 DRAM存儲器芯片等生產，已對外進行設備發包。三星正逐漸將華城轉換為存儲器生產據點，而本次訂購的設備主要集中使用于生產快閃存儲器的16產線及生產DRAM的13、15產線。三星為擴大才啟動不久的16產線的產量，決定追加投入設備。目前16產線主要生產21納米快閃存儲器。韓國業者指出，16產線的投資較三星原先計畫的日程晚，但新設備進廠后，可望提早投入全稼動的日程。三星期望年底前能具備以12寸晶圓計算，每月2萬片規模的生產體系。 DRAM芯片則著重于擴大轉換微細制程。華城13產線為擴大量產20納米DRAM，已增設生產設備。三星近來也開始生產20納米DRAM。三星為提升20納米DRAM生產良率，一面引進新設備，一方面升級30納米級設備。本次的資本支出將包含曝光機、測量設備和蝕刻設備等。SD卡工廠專門生產DRAM的15產線將完全轉換生產30納米DRAM，已引進設備。產量約每月17萬片的15產線，30納米DRAM產品約占整體制程的70%。三星計劃引進設備，將其余的40納米制程全數轉換為30納米制程。三星相關人員表示，15產線將于2011年內全部轉為30納米制程，與競爭廠拉大差距。2012年中，若13產線研發中心能將20納米制程DRAM生產良率提高至80%，將會把技術移轉到15產線等，立即投入量產。 2011-10-05 12:59:00