DRAM現(xiàn)貨價回跌 SD工廠發(fā)展較為樂觀
DRAM現(xiàn)貨市場在缺乏實際需求支撐下，才享受短暫好光景后，報價又開始回跌，雖然終端買氣力道不足，但上游供應商也不愿意殺價，因此市場成交相當清淡，不過DRAM業(yè)者擔心三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 30納米制程大量出貨后，成本會進一步下降至0.65美元附近，臺廠只能盡早跟進至30納米制程技術(shù)，以拉近彼此間的競爭距離。 2Gb DDR3品牌報價好不容易回到1美元關(guān)卡，但因為沒有強勁的終端需求做后援，近幾日報價開始回跌，再度面臨1美元關(guān)卡保衛(wèi)戰(zhàn)。業(yè)者認為，這一波DRAM報價反彈是受惠臺系上游廠減產(chǎn)和降低出貨量所帶動，但價格從0.8美元拉到1美元以上，其實也沒有讓DRAM廠轉(zhuǎn)虧為盈的條件，僅讓臺廠松一口氣，現(xiàn)金流出的速度不要太快。不過，現(xiàn)在臺廠最擔心的還是三星和海力士30納米制程技術(shù)已隨時準備應戰(zhàn)，目前是小量出貨，預計年底到2012年上半會大量出貨，屆時30納米制程的變動成本可從1美元再降至0.65美元附近，讓臺廠備感壓力。目前臺廠的應變措施也只能循序漸進，SD卡工廠 部分DRAM廠已爭取盡快轉(zhuǎn)進30納米應戰(zhàn)，臺廠進度最快的是瑞晶和華亞科，其中瑞晶的12寸晶圓廠已100%轉(zhuǎn)進45納米制程，且開始導入30納米制程，目標是希望在年底前旗下8萬片產(chǎn)能都轉(zhuǎn)進30納米。業(yè)界也分析，三星對于制程技術(shù)的領(lǐng)先不斷逼近，爾必達(Elpida)近期也不甘示弱的持續(xù)示威，瑞晶若能在年底前全數(shù)導入30納米制程，預計可為爾必達陣營注入強心針，成為拉近與三星距離的利器。華亞科也在9月已完成42納米制程的轉(zhuǎn)換，且同步開始試產(chǎn)30納米制程，預計2012年30納米可進入量產(chǎn)，且轉(zhuǎn)進4Gb芯片，預計這會是2012年產(chǎn)品主流。不過存儲器業(yè)者分析，不論DRAM廠在制程技術(shù)上如何較勁，也很難改變個人計算機(PC)需求短期內(nèi)無法看到曙光的事實，因此轉(zhuǎn)進服務器DRAM、Mobile RAM才是度過低潮的解決之道。三星日前來臺舉辦行動解決方案論壇時，也表示公司PC DRAM產(chǎn)能比重已降至30%，盡量將產(chǎn)能轉(zhuǎn)進利基型存儲器產(chǎn)品上，且對于2012年的存儲器市場是押寶SD卡NAND Flash產(chǎn)業(yè)如固態(tài)硬盤(SSD)、內(nèi)嵌式存儲器等后勢發(fā)展會較為樂觀。
2011-10-14 09:36:46
