三星將發(fā)20nm制程8Gbit相變記憶體
三星電子(Samsung)即將于2012年國際固態(tài)電路會議(ISSCC 2012)上發(fā)表采用20nm制程技術(shù)的8Gbit相變記憶體(PCM)元件，預(yù)期此舉將再度挑起相變記憶體是否可商用化上市的辯論。
這一發(fā)展并不令人意外，因為三星電子的工程師們將先在美國華府(Washington DC)舉行的國際電子元件會議(IEDM)上發(fā)表20nm制程的相變隨機存取記憶體(PCRAM)單元。
與上一代的先進技術(shù)相較，20nm 8Gbit 相變隨機存取記憶體可說是技術(shù)領(lǐng)域的一大進展。在2011年2月的 ISSCC 上，三星電子的工程師們已發(fā)表采用58nm制程技術(shù)的 1Gbit相變記憶體，該元件并配備一個低功耗的雙倍資料率非揮發(fā)性記憶體(LDDR2-N)介面。
盡管經(jīng)過多年來的研究與開發(fā)，
SD卡 目前業(yè)界也只有三星電子以及美光科技(Micron Technologies)──透過收購恒憶(Numonyx NV)跨入次世代記憶體業(yè)務(wù)──是同樣可提供商用化非揮發(fā)性 PCM 的兩家公司。但即便如此，目前在該領(lǐng)域也幾乎沒有什么有關(guān)相變記憶體的報告。
而今，三星公司準備發(fā)表采用20nm制程技術(shù)且可作業(yè)于1.8V與40Mb/s編程頻寬的大型 PCM 元件。這將使相變記憶體的性能足以提升至接近于 NAND flash 的幾何尺寸與記憶體單元密度。
然而，
SD卡 NAND flash 具有儲存以及偵測每單位多位元的能力，讓快閃記憶體仍然具有比 PCM 更佳的記憶體容量優(yōu)勢。快閃記憶體也預(yù)期將成為一種能以垂直堆疊多個記憶體單位的形式，以進一步擴展記憶體儲存容量。
相變記憶體的基本原理是在電阻加熱的情況下，透過偵測硫系化物在晶態(tài)與非晶態(tài)之間位移時的電阻值差異。長久以來，業(yè)界希望這種技術(shù)能夠結(jié)合交叉點記憶體的微縮優(yōu)勢以及快閃記憶體的非揮發(fā)特性，同時又能提供更優(yōu)越的耐用度與位元尋址性。
然而，
SD卡工廠 PCM 目前在開發(fā)上仍面臨諸多障礙，包括超越 NAND 快閃記憶體的快速微縮能力。 PCM 的技術(shù)挑戰(zhàn)也存在于記憶體單元微縮熱效應(yīng)的能力，以及來自鄰近位元間的熱串擾問題。同時，對于溫度的敏感度是否能使預(yù)編程 PCM 免于 PCB 生產(chǎn)過程中(如焊鍍液)的影響，這一點也備受關(guān)注。
