SD卡廠家三星計劃將在中國建閃存芯片廠 2013年投產(chǎn)
北京時間12月6日下午消息，三星電子周二表示，他們決定計劃在中國建立工廠，從2013年開始生產(chǎn)閃存芯片。三星此舉旨在尋求抓住智能機和平板電腦快速發(fā)展的機遇。
如果建廠計劃獲得批準，該工廠將是三星第二座海外芯片制造工廠，這也反映出中國市場正變得日益重要。三星還計劃在中國建立平板顯示屏生產(chǎn)基地。
“新生產(chǎn)線將滿足我們客戶快速增長的需求，同時加強我們在存儲產(chǎn)業(yè)的整體競爭力。”三星存儲總裁Jun Dong-soo在聲明中稱。
韓國新韓投資公司(Shinhan Investment)分析師金永燦(Kim Young-chan)表示：“隨著收入水平的不斷提升，中國預計將超過美國成為第一大電子品市場。”
三星表示，他們尚未確定該閃存芯片工廠的地址和具體投資金額。金永燦預計，三星將為此投資4萬億韓元(約合35億美元)至5萬億韓元。
三星新閃存芯片生產(chǎn)線將采用先進的20納米級制造工藝。閃存在斷電后依舊可以保存數(shù)據(jù)，目前被廣泛用于智能機、平板電腦、數(shù)字音樂播放器和U盤中，正逐步取代硬盤成為筆記本主要存儲介質(zhì)。
三星表示，他們已經(jīng)就在外國投建生產(chǎn)基地向韓國政府提交了申請，后者要求本國公司需要提出類似申請，主要是擔憂本國有價值的高科技技術(shù)泄露。
三星現(xiàn)在是全球最大的
SD卡NAND閃存芯片制造商，市場份額達到40%，主要與日本東芝、韓國海力士和美國美光競爭。
三星目前唯一的海外芯片工廠位于美國德州奧斯汀。三星在周二的聲明中稱，在進行了36億美元投資后，他們提前提高了該工廠產(chǎn)能，將全產(chǎn)能生產(chǎn)邏輯半導體，比如用于移動設(shè)備的處理芯片。在建廠聲明發(fā)布前，三星周二股價下降2.1%。
盡管DRAM銷售表現(xiàn)疲弱，但智能型手機、平板計算機(Tablet PC)預料將帶動NAND Flash需求增溫。三星于2011年第3季率先宣布以20納米制程產(chǎn)出NAND Flash，搶占技術(shù)制高點。日本大廠東芝(Toshiba)則不讓三星專美于前，日前關(guān)閉3座類比芯片廠，表示要將資源投注于NAND Flash研發(fā)。
