存儲(chǔ)器大廠美光(Micron) 20納米制程64GB芯片量產(chǎn)，128GB芯片將于2012年量產(chǎn)，對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)領(lǐng)域布局越來(lái)越積極，尤其在控制芯片零組件上，目前美光主要采用Marvell解決方案，NAND解決方案事業(yè)部門(mén)營(yíng)銷總監(jiān)Kevin Kilbuck指出，未來(lái)S
SD卡控制芯片將一部分采in-house自制，一部分與策略合作伙伴合作，且不排除與臺(tái)廠，市場(chǎng)預(yù)期群聯(lián)、慧榮、擎泰皆有機(jī)會(huì)合作。
美光在NAND Flash領(lǐng)域布局3方進(jìn)行，一方面與英特爾(Intel)在新加坡的IMFT晶圓廠啟動(dòng)，目前單月產(chǎn)能約6萬(wàn)片，美光約可分得80%產(chǎn)能，且該廠房以25納米制程為主。
第2方面，IMFT在美國(guó)猶他廠目前已領(lǐng)先導(dǎo)入20納米制程技術(shù)，等20納米制程成熟后，會(huì)將技術(shù)轉(zhuǎn)至新加坡廠；美光宣示要保持過(guò)去在34納米和25納米領(lǐng)先的態(tài)勢(shì)；第3，在SSD策略上越來(lái)越積極，將分為消費(fèi)端Client SSD和企業(yè)端Enterprise SSD分頭并進(jìn)。
隨著美光加速布局SSD，牽動(dòng)其控制芯片策略，以過(guò)去美光NAND Flash產(chǎn)品上的習(xí)慣，多是采外購(gòu)的控制芯片，但SSD產(chǎn)品在線會(huì)考慮用in-house產(chǎn)品，一部分原因也是想掌握產(chǎn)品的質(zhì)量。
美光
SD卡工廠目前在SSD產(chǎn)品技術(shù)分為34納米、25納米和20納米制程，2010年以34納米為主，共推出P300和C300產(chǎn)品兩款；2011年進(jìn)入25納米制程，包括主流SSD產(chǎn)品、加密型SSD產(chǎn)品；2012年會(huì)進(jìn)入20納米制程，且進(jìn)入mSATA市場(chǎng)，屆時(shí)可望搭上Ultrabook商機(jī)。
Kilbuck表示，美光和英特爾旗下20納米制程的64GB芯片量產(chǎn)后，20納米的128GB芯片日前也正式問(wèn)世，預(yù)計(jì)8片裸片可達(dá)到1TB儲(chǔ)存容量，是現(xiàn)有20納米64GB芯片的雙倍，而128GB芯片也符合ONFi 3.0規(guī)范的要求，可達(dá)到333MT/s的傳輸速度，未來(lái)應(yīng)用面會(huì)朝平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)、智能型手機(jī)(Smartphone)和大容量固態(tài)硬盤(pán)(SSD)邁進(jìn)。
美光在20納米制程是采用平面式單元結(jié)構(gòu)(Planar Cell Structure)，將High-K Metal Gate(HKMG)技術(shù)集成至芯片結(jié)構(gòu)中，突破傳統(tǒng)NAND Flash技術(shù)的傳統(tǒng)浮動(dòng)閘(Floating Gate)架構(gòu)，未來(lái)將再采3D NAND用堆疊式的技術(shù)作法。
待未來(lái)20納米的128GB芯片成為主流后，將可大量用于運(yùn)端運(yùn)算用的服務(wù)器，還有平板計(jì)算機(jī)、智能型手機(jī)等行動(dòng)裝置，以及對(duì)于高畫(huà)質(zhì)影片的需要增溫，皆需要龐大的儲(chǔ)存容量。
