2012年NAND Flash領域市場需求被存儲廠看好，主要是由于2012年NAND Flash需求可能大增，為強化NAND Flash市場攻略，各廠在產品布局上都毫不遜色。
NAND Flash一線大廠不惜砸下巨額擴充NAND產品線，連爾必達也將目光轉移到NAND Flash市場上。臺系存儲廠借著部分大廠NAND Flash關鍵專利將陸續期滿的時間點，切入NAND布局，專攻SLC NAND 低容量市場。各存儲廠的熱情加盟讓NAND Flash市場成為2012年的最大激戰地。
三星先前曾宣布，2012年的資本支出將提高至25兆韓元(約合223億美元)，半導體部門與顯示器部門分別投資15兆與6.6兆韓元，2012年計劃擴產NAND Flash，若以晶圓為基準，將增加約43%，目前
三星每月產能約35萬片，至年底將擴大至每月50萬片。
三星的美國奧斯汀廠及正在擴充(ramp-up)的華城16產線等，共有7廠會投入生產NAND Flash。
緊追在
三星之后的
東芝，目前投入NAND Flash生產的晶圓規模為每月32萬片，由于Fab 5至2012年底前產能將會擴大至每月9.5萬片，NAND Flash總產能將可達到每月44萬片。
美光(Micron)和
英特爾(Intel)新加坡12寸晶圓廠以20nm制程技術重新啟動，2012年NAND Flash產能將擴大到3萬~4萬片，并且
英特爾對于SSD布局更為頻繁，日前發表目前速度最快、最穩固的客戶端/消費型固態硬盤Intel SSD 520。
海力士月產能大約為13萬片，將投資規模約4兆韓元(約34.8億美元)，其中2兆韓元將用來投資NAND Flash，且大部分將使用在清州NAND Flash專用產線M12的資本支出項目上。海力士也計劃啟動M12產線，在年底前將產能擴大至每月平均17萬片。
據韓國業者透露，一線存儲器業者集中投資NAND Flash，使目前全球NAND Flash每月平均產量若以12寸晶圓計算，約達98萬片。相較于2011年1月的80萬片，在1年期間產能增加約18萬片。若包含微細制程轉換，2011年NAND Flash的位元成長率約達80%，而2012年的位元成長率預估也將可達到接近80%水平。
一直被抑制的臺系存儲廠借著部分大廠NAND Flash關鍵專利將陸續期滿的時間點，加速布局NAND Flash產品，為了避開與大廠激戰，旺宏、華邦電等臺系廠均專攻SLC NAND 低容量市場，開辟與大廠正面沖突。旺宏512Mb 和1Gb SLC NAND Flash已經開始送樣，預計第一季試產，華邦電宣布今年下半年將開始試產46奈米NAND Flash產品，今年底至明年第一季左右推出新產品。
模塊廠創見日前表示，今年存儲產業不會比去年差， NAND Flash會比去年好。力成董事長蔡篤恭表示FLASH則受惠SSD(固態硬盤)帶動，1 月甚至有FLASH急單進來，推升了 1 月營收走揚，對于市場需求存儲廠都表樂觀態度。
據預估，2011年NAND Flash市場規模約230億美元，2012年將因智能型裝置需求增加，使NAND Flash市場規模也擴大50%以上至340億美元，而DRAM市場規模約比2011年增加10%至330億美元，使NAND Flash市場首度超越DRAM市場。
