據報導，
三星和海力士2012年底將會投入次世代記憶體DDR 4量產，兩大韓廠推出的試制品是以30奈米等級微細制程研發，2012年底則計劃采用20奈米等級制程投入量產。領先全球記憶體市場。
三星、海力士等近來在美國舊金山國際固態電路會議(ISSCC)上展示了30奈米等級DDR 4的試制品。
DDR 4 DRAM較目前市場上的主要產品DDR 3耗電量低，且資訊傳輸速度約提升2倍，微次世代DRAM規格。而兩大韓廠推出的試制品采用了聯合電子裝置工程協會(JEDEC)規格。全球記憶體晶片業者中，目前僅
三星和海力士研發出DDR 4試制品，未來DDR 4的標準化作業主導權，可能也會落到
三星及海力士手上。
三星推出的DDR 4記憶體在1.2伏特(V)電壓下可驅動2,133MHz，而海力士的產品在同樣的電壓下，可驅動2,400MHz。相較于兩大韓廠的試制品在1.5V下驅動的DDR 3記憶體相比，耗電量減少了40~50%。
三星及海力士內部人員透露，瞄準高規格電腦或超小型伺服器市場，2012年底將會采用20奈米等級制程量產DDR 4產品。
海力士行銷本部長金知范指出，海力士研發的DDR 4試制品可滿足環保、低耗電、高性! 能等特性。除現有的電腦及伺服器市場外，也將會針對快速成長的平板電腦(Tablet PC)市場提出具高附加價值的= 決方案。
根據統計，整體DRAM晶片中，DDR 4比重在2013年將會達到1%，至2015年可望突破45%，成為市場主要產品。此外，DDR 3產品比重在2011年時為72%，達到最高值后將持續降低，2015年將會減少至15%。
