14nm結(jié)束前無晶圓廠模式仍可生存 駁英特爾

目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)究竟有哪些？

1. 28納米工藝節(jié)點的參數(shù)良率尚未到達預(yù)期水準(zhǔn)：

在28納米節(jié)點，包括隨機摻雜波動(random dopant fluctuations)、線寬、線間距變動，以及過孔電阻值(via resistance)等會影響RC相關(guān)時序的種種問題，為目標(biāo)規(guī)格帶來不可預(yù)知且低落的參數(shù)良率。這種工藝變異帶來不斷增加的漏電、功耗與良率等沖擊，而晶圓代工業(yè)者與無晶圓廠芯片供應(yīng)商所面臨的挑戰(zhàn)如下圖所示。

為了弭平圖中所示的鴻溝，晶圓代工廠的工藝技術(shù)團隊與無晶圓廠芯片供應(yīng)商設(shè)計團隊之間，需要有一個IDM形式的溝通介面。大型無晶圓廠芯片業(yè)者與晶圓代工廠，具備建立該種介面的財源，也能合作解決問題；但是較小型的廠商將會面臨財務(wù)挑戰(zhàn)。不過關(guān)鍵是，誰應(yīng)該負(fù)責(zé)建立那種IDM形式的溝通規(guī)則，并支付所需成本？是無晶圓廠業(yè)者、晶圓代工廠，還是兩邊都要負(fù)擔(dān)？看來其中有很多都是需要雙方共享的。

2. 要成為晶圓代工產(chǎn)業(yè)龍頭，所需支出的資本越來越高：

臺積電(TSMC)的2012年資本支出為80億美元，也就是每1萬片晶圓需要10億美元成本，以因應(yīng)每月8萬片晶圓的28納米與20納米工藝額外產(chǎn)能。三星的非存儲器業(yè)務(wù)2012年資本支出金額也在80億美元左右(官方公布為65億美元)，大約也是供應(yīng)每月8萬片的額外產(chǎn)能。

Globalfoundries則是正在提升Malta晶圓廠的產(chǎn)出，計劃在目前Dresden晶圓廠每月8萬片晶圓產(chǎn)能之外，再增加每月3萬片晶圓的額外產(chǎn)能。至于聯(lián)電(UMC)，其2012年資本支出金額為20億美元，并宣布其Fab 12廠將籌資80億美元。只有很少數(shù)的半導(dǎo)體廠商有能力在14納米節(jié)點投資更大產(chǎn)能所需的成本，因此無晶圓廠芯片供應(yīng)商也會去選擇最佳的合作對象。