可蝕刻3D NAND 應材新系統

應用材料公司(Applied Materials)推出全新蝕刻技術 ─ Applied Centura Avatar介電層蝕刻系統，這系統是用來制造高深寬比的蝕刻應用，如3D NAND內存結構，以迎接高行動裝置時代的到來。

應材表示，根據預估，平面的NAND壽命只剩兩個世代，因此現今NAND 快閃裝置必須做改變，以符合行動內存的需求。由于傳統平面型的技術無法微縮20奈米以下的NAND；而較先進的技術如極紫外線微影，成本所費不貲，因此，下一代符合成本及高容量規格的解決方案即是垂直堆棧NAND內存單元，這也是應材致力推出可制造垂直NAND組件技術的主要原因。

Avatar系統為全新設計，可在3D NAND內存數組進行既深且窄的蝕刻，這些3D數組是令人振奮的新型閃存裝置，有多達64層垂直建立的記憶單元，可在小面積內建立極高的位密度。

Avatar系統可在復合薄膜堆棧層中進行孔洞性蝕刻及溝槽性蝕刻，深寬比可高達80:1，以形狀比例來形容的話，美國華盛頓紀念碑的深寬比是10:1高(臺北101大樓約9:1)。此外，該系統是第一款具備能同時蝕刻深度變化落差極大的特征結構功能的系統，對于制造連接外界與各層記憶單元的「階梯式」接觸結構非常重要。

新的 Centura Avatar 系統設計獨特，完全符合垂直NAND蝕刻需求，該系統支持光罩蝕刻，比同業快30倍以上，能同時在不同層材料上蝕刻出各種不同深度的結構。另外，該系統也是第一款具備能同時蝕刻深度變化落差極大的特征結構功能的系統，對于制造連接外界與各層記憶單元的「階梯式」接觸結構非常重要。

這套 Avatar 系統能進行高深寬比達 80:1的蝕刻，在先進的邏輯、DRAM及NAND制程上不可或缺；若舉現實生活中大樓形狀來形容的話，臺北101辦公大樓深寬比(即樓高:樓寬)是9:1，目前已有超過30臺反應室出貨至客戶端。