起航 三維NAND閃存

將存儲單元沿三維方向層疊的三維NAND閃存終于要揚帆起航了。NAND閃存過去一直通過二維（水平）方向的微細化和多值化來增大容量，但已逐漸接近極限。為將容量增至TB級，東芝、三星電子及SK Hynix爭相開發三維NAND閃存，有報道稱最早將于2012年底～2013年初制造出樣品。

果然，在2012年7月10～12日于美國舊金山舉行的“SEMICON West 2012”上，世界著名的半導體制造設備供應商美國應用材料公司（AMAT）發布了三維NAND閃存專用蝕刻設備“Applied Centura Avatar”。據介紹，AMAT已向多家半導體廠商供應了30多臺反應室。

由于層疊了多層多晶硅與絕緣膜，三維NAND閃存需要加工出深寬比很高高的貫通孔（存儲孔）、觸點及溝道（溝槽）。比如，存儲孔直徑為40nm～50nm，深寬比為60，觸點直徑為55nm～65nm，深寬比達到30～80。此次發布的蝕刻設備采用了自主的等離子控制技術，能夠實現這種高深寬比蝕刻加工。

至于三維NAND閃存能否成為今后存儲器的主流，目前還無法預測。存儲器廠商在開發三維NAND閃存的同時，也在開發二維NAND閃存和新型非易失性存儲器。這些廠商將首先供貨三維NAND閃存樣品，然后觀察客戶廠商的反應。