NAND flash大廠三星擬提前發表3D NAND芯片
根據韓國時報的報導，韓國三星電子要投入更多資源，希望年底前能發表首款3D NAND型芯片，較原先計劃提前6個月，除了滿足智能型手機等處理大量資料的需求外，也要鞏固此前景可期的市場地位。
包括IBM和東芝等芯片業巨擘，都競相研發被視為下一世代主力的3D NAND型芯片，因為3D技術打破目前NAND型芯片的微縮極限。NAND Flash芯片采用非揮發性（non-volatile）儲存技術，不需要電源來保存資料。但3D NAND型芯片采用3D技術，擁有更節省成本和保證有更多閃存格（memory cell）優勢。
三星表示，現在全球閃存芯片業只剩少數主要供應商，拼命「燒錢」時代已經過去，三星要提升3D NAND型芯片的生產技術。芯片商在平面NAND型芯片上，正面臨10納米制程以下的技術極限，讓芯片業要為此做出調整。
三星認定3D NAND型芯片，將在未來2到3年內成為業界主流。由于生產成本能夠降低，又具備大量數據儲存的能力，這表示消費者能以更實惠價格，購買智能型手機、平板計算機和其它數碼設備。
但在量產之前仍有一些技術問題要解決。Sanford C. Bernstein分析師紐曼（Mark Newman）認為，3D NAND型芯片的制程復雜，可能要使用不同的工具組。
遠通業務一部·黃軻
2013-04-01 08:59:56
