SD卡工廠：業界首見32層3D V-NAND量產 耗電量低20%

三星電子28日發布新聞稿宣布，該公司已開始量產業界首見的高階3D V-NAND，這種存儲器采用32個垂直堆疊的的平面細胞層，是該公司第二代V-NAND。

三星的32層3D V-NAND(又稱Vertical NAND)比起前代的24層設計需要較為高階的堆疊技術，但生產效率卻較高、主因該公司能運用與第一代相同的V-NAND設備來進行制造。

除此之外，三星最近也剛發表了運用第二代V-NAND架構的高階SSD，并有128GB、256GB、512GB以及1TB的存儲容量讓顧客選擇。三星去(2013)年推出資料中心專用的3D V-NAND SSD之后，目前正在將應用范圍拓展至高階PC。

與平面的MLC NAND SSD相較，全新3D V-NAND SSD對資料寫入擁有兩倍耐受度、耗電量更低了20%。

根據科技市調機構Gartner的預估，2017年全球存儲器銷售額有望從755億美元攀升至797億美元，其中NAND在2017年的銷售額更將達446億美元、市占率超過50%。