3DIC內存和所有2.5D/3D技術終于離全面商業化更近一步了！在上周于美國加州伯林蓋姆市(Burlingame)召開的RTI 3D ASIP會議上，AMD和Hynix共同宣布了兩家公司將攜手開發HBM(高帶寬內存)技術的消息。AMD高級研究員兼3D項目主管Bryan Black指出：
雖然芯片堆疊技術已在FPGA和影像傳感器上普及，但是在主流計算機的CPU、GPU、以及APU上，卻沒有太大的動作。不過“高帶寬內存”(High Bandwidth Memory)的出現，將會改變這一點。
轉向3D是一個大膽的舉動，但是AMD已經做好了這種準備”。Black宣布AMD正與SK Hynix攜手開發HBM堆棧內存，目前正處于樣產階段。而AMD“也做好了與客戶合作的準備”。
這些產品的JEDEC規范已經“基本完成”。
Hynix首席工程師Minsuk Suh證實，他們的3D堆疊式內存將產品，將同時有面向主內存應用的3D stacked memory、以及面向網絡和圖形應用的3D stacked HBM。
Suh表示，首個HBM應用將部署到GPU上，隨后則是網絡和HPC應用。與標準的DDR4內存相比，HBM堆棧的功耗要少30%，而尺寸也減少了37X。
遠通聯達科技有限公司是一家專業生產SD卡，TF卡，U盤等數碼產品。專業對接工廠電子產品的閃存方案開發。OEM禮品U盤專業開模設計大批生產代工。更多信息咨詢電話：13823773358-謝先生
