報導(dǎo)，3D存儲器芯片將是全球半導(dǎo)體市場的新戰(zhàn)場。在開發(fā)新一代3D存儲器芯片與推進(jìn)商品化上，全球前二大NAND存儲器廠－日本東芝與南韓三星電子，彼此之間正展開一場激烈的生死斗。
據(jù)報導(dǎo)，東芝計劃在2019財年生產(chǎn)容量高達(dá)1TB（terabyte）的NAND芯片，是目前NAND芯片容量的16倍之大。
3D存儲器芯片內(nèi)部層數(shù)越多，存儲器容量就越大。目前東芝與三星均未透露自家開發(fā)中的3D存儲器芯片能容納多少層數(shù)。產(chǎn)業(yè)消息來源透露，去年兩家公司的3D芯片內(nèi)部層數(shù)已達(dá)到24層，今年可望進(jìn)一步開發(fā)32層的3D存儲器芯片。
東芝主管表示，目前在這個階段尚無法量產(chǎn)3D存儲器芯片，因為采用尖端技術(shù)的傳統(tǒng)型2D存儲器芯片，仍較具生產(chǎn)成本競爭力。不過，一旦3D存儲器芯片內(nèi)部層數(shù)達(dá)到48層這個技術(shù)門檻，那情勢將完全逆轉(zhuǎn)，存儲器芯片世代將正式從2D進(jìn)入3D，而這個改變可能提前到來。
產(chǎn)業(yè)專家表示，東芝與三星均計劃在2015年開發(fā)出48層的3D芯片，兩家公司現(xiàn)正彼此較勁，希望趕在對方之前推出真正的新一代存儲器芯片。
只要跨過48層的技術(shù)門檻，東芝與三星就可能投入3D芯片的量產(chǎn)；而誰能最先達(dá)到目標(biāo)，誰就能搶占在3D芯片市場取得領(lǐng)先優(yōu)勢的先機(jī)。
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