隨著NAND Flash納米制程技術不斷向下微縮，技術瓶頸越發凸顯，3D NAND Flash技術經過幾年時間的沉淀，上游芯片廠三星、東芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技術規劃的時程表。
3D NAND技術與現有的2D NAND（納米制程技術）截然不同，2D NAND是平面結構而3D V-NAND是立體結構，3D結構是以垂直半導體通道的方式排列，多層環繞式柵極(GAA)結構形成多電柵級存儲器單元晶體管，可以有效的降低堆棧間的干擾。3D技術不僅使產品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。
三星已在2013年8月首次批量生產3D V-NAND產品，制程35nm，可以堆疊24層，容量可達128Gb V-NAND，到2015年24nm 3D 36層容量將達到1Tb。東芝/閃迪計劃采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技術生產3D NAND Flash產品，于2015下半年量產；美光3D NAND Flash產品預計2014年第二季度送樣，量產時間待定；SK海力士則使用微調VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技術生產3D NAND Flash，也于2015年邁入量產階段。
雖然各芯片廠都已列出了3D技術的量產時程表，但目前除了三星已開始量產外，其他芯片廠均在2015年量產，未來1年多的時間將依然以2D NAND技術生產為主，直到1znm的工藝。
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