三星電子9日宣布量產(chǎn)業(yè)界首見的3-bit 3D存儲器NAND flash芯片，可用于SSD硬盤，提升儲存效率。
韓聯(lián)社報導，三星8月首次發(fā)表這款存儲芯片，每個存儲單元(cell)皆可儲存3 bit數(shù)據(jù)，之前3-bit技術僅用于平面(Planar)NAND flash，如今拓展用途，使用于3D NAND flash。
新款3-bit 3D芯片采用第二代V-NAND技術，垂直堆棧32層，整合程度比24層芯片高出30%。NAND flash多用于智能機、平板等移動設備，電源關閉后，儲存內容也不會消失。
BusinessKorea 9月16日報導，2000年中期以來，NAND flash制程從40奈米一路降至16奈米，業(yè)界專家認為14奈米將是微縮制程極限，因為10奈米NAND flash技術上雖然可行，可是所需的設備投資過高，就算生產(chǎn)也難以獲利。
微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者因此另辟蹊徑，改采3D垂直架構。報導稱，其中三星電子技術最為先進，今年5月推出業(yè)界首見V-NAND技術堆棧32層，高于前代的24層。部分專家預估，三星可能已經(jīng)完成48層堆棧的原型技術。另外SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等也投入研發(fā)。
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