SD卡工廠(chǎng)：需求倍增 NAND供貨從Q2開(kāi)始供不應(yīng)求

2015年受三星Galaxy S6和蘋(píng)果iPhone 6向128GB容量推進(jìn)影響，智能型手機(jī)主流存儲(chǔ)快速向32GB、64GB升級(jí)，同時(shí)平板市場(chǎng)主流需求向32GB轉(zhuǎn)移，智能盒子和電視存儲(chǔ)需求也在向8GB提升，再加上物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動(dòng)下的大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)爆發(fā)，蘋(píng)果又引領(lǐng)消費(fèi)類(lèi)PC搭載SSD由128GB向256GB轉(zhuǎn)移，今年NAND Flash需求量與2014年相比在翻倍的增長(zhǎng)。

市場(chǎng)需求倍增顯而易見(jiàn)，上游芯片廠(chǎng)勢(shì)必將增加NAND Flash產(chǎn)量來(lái)滿(mǎn)足增長(zhǎng)的需求。據(jù)了解，三星大陸西安廠(chǎng)、東芝/Sandisk Fab 2工廠(chǎng)以及美光Fab 10X均準(zhǔn)備用于生產(chǎn)3D NAND，除了三星可大規(guī)模量產(chǎn)3D NAND之外，其他廠(chǎng)商要等到2015年底才能大規(guī)模出貨，SK海力士主要產(chǎn)能集中在DRAM上，M14也主要用于生產(chǎn)DRAM。各芯片廠(chǎng)新工廠(chǎng)可增加的NAND Flash有限，只能將2D NAND工藝向1znm（即12nm-15nm之間）切換來(lái)增加NAND Flash產(chǎn)量。

隨著NAND Flash納米制程技術(shù)不斷發(fā)展，預(yù)估2D Flash物理極限工藝在8nm，基本可量產(chǎn)工藝大約是12nm，更接近物理極限的生產(chǎn)工藝，讓三星、東芝、美光等NAND Flash產(chǎn)量提升受限。之前美光曾在2013年因25nm轉(zhuǎn)入20nm量產(chǎn)的時(shí)候出現(xiàn)問(wèn)題，導(dǎo)致NAND Flash產(chǎn)出減少，近期市場(chǎng)傳出Sandisk在15nm工藝量產(chǎn)中出現(xiàn)良率問(wèn)題而導(dǎo)致NAND Flash出貨量減少，如果Sandisk 15nm工藝量產(chǎn)不夠穩(wěn)定，很有可能繼續(xù)采用19nm生產(chǎn)，這不僅不能提高產(chǎn)量，也無(wú)法進(jìn)一步的降低成本。SanDisk也曾在Q1預(yù)估財(cái)報(bào)中表示，受部分產(chǎn)品認(rèn)證時(shí)程遞延，以及需求不如預(yù)期，定價(jià)滑落等影響，不得不下調(diào)財(cái)測(cè)。

在NAND Flash領(lǐng)域，三星雖然是NAND Flash最大的供應(yīng)商，3D NAND也進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段，但是其N(xiāo)AND Flash產(chǎn)能需要供應(yīng)自家智能型手機(jī)、平板等需求，SSD除了供應(yīng)蘋(píng)果訂單，也要應(yīng)對(duì)物聯(lián)網(wǎng)環(huán)境下的大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的龐大需求。美光NAND Flash產(chǎn)能要供給英特爾SSD所用，還與希捷達(dá)成戰(zhàn)略聯(lián)盟來(lái)擴(kuò)大SSD市場(chǎng)。SK海力士主要產(chǎn)能又不在NAND Flash上，東芝除了特定的一些客戶(hù)很少對(duì)外供應(yīng)NAND Flash。

綜合上述可以看出，2015年上游芯片廠(chǎng)在NAND Flash供應(yīng)上相對(duì)翻倍增長(zhǎng)的需求顯得不足�，F(xiàn)在市場(chǎng)傳出Sandisk產(chǎn)出會(huì)減少，美光也因此對(duì)下游客戶(hù)喊沒(méi)貨，甚至要調(diào)漲NAND Flash價(jià)格，再加上近期三星Galaxy S6、蘋(píng)果iPhone 6/Watch以及華為、聯(lián)想、中興、宏達(dá)電等新品銷(xiāo)售或?qū)⒁�上市銷(xiāo)售帶動(dòng)，市場(chǎng)需求已開(kāi)始回升，NAND Flash市場(chǎng)供應(yīng)從Q2開(kāi)始已現(xiàn)吃緊，Q3供貨將更加緊缺。