內(nèi)存、閃存的大改變---從D-Ram到F-Ram
韓國教育科學(xué)技術(shù)部評(píng)選出了五位擁有頂尖技術(shù)有望推動(dòng)韓國科學(xué)達(dá)到新水平的科學(xué)家。在物理學(xué)領(lǐng)域的教授韓國首爾國立大學(xué)物理專門學(xué)部的盧泰元(노태원)教授被授予了韓國國家科學(xué)家的稱號(hào)。
盧泰元教授的研究可以歸納為對(duì)氧化物進(jìn)行研究從而克服半導(dǎo)體尺寸的限制。大多數(shù)電腦和家用電器的半導(dǎo)體記憶芯片都是D-Ram內(nèi)存芯片和Flash Memory Chips閃存芯片。D-Ram內(nèi)存芯片速度快而且體積非常小，但是他們的缺點(diǎn)就是在關(guān)閉的時(shí)候會(huì)造成信息丟失。此外，F(xiàn)lash Memory Chips閃存芯片雖然運(yùn)行速度較慢，但可以存儲(chǔ)信息，廣泛的應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)和MP3上。科學(xué)家已經(jīng)開始著手研發(fā)不會(huì)受到這些限制的下一代記憶芯片。他們最后研發(fā)出了F-Ram非揮發(fā)性鐵電內(nèi)存芯片，這種芯片既保持了原有D-Ram的尺寸和速度，并可以保存數(shù)據(jù)長達(dá)10年之久。但是目前還沒有可以讓F-Ram芯片變得更薄的技術(shù)，這也阻礙了F-Ram芯片商業(yè)化開發(fā)的步伐。但是，目前盧教授找到了一個(gè)解決方法。
事實(shí)上，強(qiáng)誘電體有一個(gè)缺點(diǎn)。它越薄，就會(huì)形成一定的電路，這樣強(qiáng)誘電體就無法在關(guān)閉的狀態(tài)下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。這就違背了半導(dǎo)體業(yè)界的口號(hào)“更薄更小”。但是盧教授從金屬和氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的金屬銹體上得到啟發(fā)，因?yàn)榻饘黉P體和原來的金屬在性能上有很大差異。他于2004年將氧氣和鈹，鈦相結(jié)合，最終研發(fā)出了世界上首款強(qiáng)誘電體，這種強(qiáng)誘電體可以在厚度為5納米的狀態(tài)下保持其電的性能。鑒于傳統(tǒng)的強(qiáng)誘電體厚度一般都是100納米左右，盧教授的成果幾乎是不可想象的。
韓國首爾國立大學(xué)物理專門學(xué)部盧泰元教授的研究成果能夠推進(jìn)F-Ram芯片的商業(yè)化進(jìn)程，韓國也將能夠保持它在下一代半導(dǎo)體市場(chǎng)上的領(lǐng)軍地位。現(xiàn)在盧教授已經(jīng)為自己定下了目標(biāo)。他正夢(mèng)想著研發(fā)出一種高效率設(shè)備，進(jìn)而能夠推動(dòng)可再生能源產(chǎn)業(yè)。他的努力將能夠開辟一個(gè)將物理學(xué)概念應(yīng)用于能源領(lǐng)域的先河。我們贊揚(yáng)他這種挑戰(zhàn)精神的同時(shí)，也希望他能夠在未來為我們帶來更多更先進(jìn)的科研成果。
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