相變化存儲器介紹
相變化存儲器名稱有很多種，包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)等，全球的相變化存儲器分為3大陣營，包括恒憶(Numonyx)／英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、旺宏／IBM等，其中恒憶和旺宏都稱為PCM，三星的產品則稱為PRAM。
相變化存儲器最早發明人為S. R. Ovshinsky，于1966年代表美國公司Energy Conversion Devices(ECD)提出1篇美國專利中表示，在硫屬化合物(Chalcogenide)中，結晶相與非晶相之間的光學性質及導電度都有顯著的不同，而這兩項間可進行快速、可逆且穩定的轉換，適合做開關(switching)及記憶(memory)之用。
相變化存儲器需要新材料，也就是硫屬化合物即鍺硒銻GST，在結晶態與非結晶態這兩種高、低不同的相變化(Phase Change)區分中來當作0與1，進而做為存儲器用途。與現有的存儲器NAND Flash和DRAM相比較，仍是各有幽缺點。
日前三星宣布將相變化存儲器用在智能型手機用的MCP(Multi-Chip Package)芯片，目的是用來取代NOR Flash角色，目前推出512Mb產品，且計劃在年底前大量導入手機市場，而三星這樣的大動作，也宣示相變化存儲器不再只是紙上談兵的下世代存儲器技術，是真正可以導入終端市場的技術。
再者，恒憶也宣布推出第2款新的相變化存儲器，并成立新的副品牌Omneo，主要是針對需要量身訂做的客戶來服務，應用范圍包含有線及無線通訊、消費電子產品、個人計算機(PC)和嵌入式應用產品等，也是積極將相變化存儲器導入市場的另一案例。
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