快閃存儲器簡單介紹
快閃存儲器屬于被稱為不易失存儲器的半導體存儲器。所有的半導體存儲器都可以歸為兩種不同的基本類型：僅在被連接到電池或其他電源時才能保存數據的存儲器（易失存儲器），以及即使在沒有電源的情況下仍然能夠保存數據的存儲器（不易失存儲器）。
DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器）盡管有容易丟失數據的缺點，但從市場規模來說，它們卻是最重要的存儲器類型。由于它們的快速寫入能力，使它們被作為“工作”存儲器來使用。對于DRAM 來說，其優點在于它能夠在極小尺寸的存儲單元中存儲極大容量的數據。現在，256M比特的DRAM已經在商業上應用，而1G比特的設備將很快出現。對于SRAM來說，其優點在于極低的制造費用（不需要刷新電路），以及某些類型存儲器的數據讀取速度，其特點是比DRAM快一個量級。DRAM和SRAM都是個人計算機的基本部件。
快閃存儲器基本單元架構
盡管所有的快閃存儲器都使用相同的基本存儲單元，有許多不同的途徑將單元在總體存儲陣列中互連。其中最重要的兩種架構被稱為NOR（或非）和NAND（與非），這些從傳統的組合邏輯中得到的術語指出了陣列的拓撲結構和其中的單獨單元讀取和寫入的方式。
最初，這兩種架構間有明顯的區別，NOR設備表現出固有的快速讀取時間（使其成為代碼存儲的最佳選擇），而NAND設備提供更高的存儲密度（這是由于NAND單元大約比NOR單元小40％）。不過，多比特/單元技術的出現使得這一平衡明顯地傾向于NOR架構。這是由于在NOR架構中，電荷讀出放大器對每個單元直接進行存取，而在NAND架構中，讀出放大器的信號必須通過一定數量的其它單元，其中的每一個都能帶來一定的小誤差。這意味著NAND體系不太可能擴展到超過2比特/單元，而對NOR架構來說，確信可以得到4比特/單元。這一點不僅補償了NAND單元的較大尺寸，而且使得NOR成為所有當前和將來的快閃存儲器應用的適當選擇。
