快閃存儲器簡單介紹
快閃存儲器屬于被稱為不易失存儲器的半導(dǎo)體存儲器。所有的半導(dǎo)體存儲器都可以歸為兩種不同的基本類型：僅在被連接到電池或其他電源時才能保存數(shù)據(jù)的存儲器（易失存儲器），以及即使在沒有電源的情況下仍然能夠保存數(shù)據(jù)的存儲器（不易失存儲器）。
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）盡管有容易丟失數(shù)據(jù)的缺點，但從市場規(guī)模來說，它們卻是最重要的存儲器類型。由于它們的快速寫入能力，使它們被作為“工作”存儲器來使用。對于DRAM 來說，其優(yōu)點在于它能夠在極小尺寸的存儲單元中存儲極大容量的數(shù)據(jù)。現(xiàn)在，256M比特的DRAM已經(jīng)在商業(yè)上應(yīng)用，而1G比特的設(shè)備將很快出現(xiàn)。對于SRAM來說，其優(yōu)點在于極低的制造費用（不需要刷新電路），以及某些類型存儲器的數(shù)據(jù)讀取速度，其特點是比DRAM快一個量級。DRAM和SRAM都是個人計算機的基本部件。
快閃存儲器基本單元架構(gòu)
盡管所有的快閃存儲器都使用相同的基本存儲單元，有許多不同的途徑將單元在總體存儲陣列中互連。其中最重要的兩種架構(gòu)被稱為NOR（或非）和NAND（與非），這些從傳統(tǒng)的組合邏輯中得到的術(shù)語指出了陣列的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和其中的單獨單元讀取和寫入的方式。
最初，這兩種架構(gòu)間有明顯的區(qū)別，NOR設(shè)備表現(xiàn)出固有的快速讀取時間（使其成為代碼存儲的最佳選擇），而NAND設(shè)備提供更高的存儲密度（這是由于NAND單元大約比NOR單元小40％）。不過，多比特/單元技術(shù)的出現(xiàn)使得這一平衡明顯地傾向于NOR架構(gòu)。這是由于在NOR架構(gòu)中，電荷讀出放大器對每個單元直接進(jìn)行存取，而在NAND架構(gòu)中，讀出放大器的信號必須通過一定數(shù)量的其它單元，其中的每一個都能帶來一定的小誤差。這意味著NAND體系不太可能擴展到超過2比特/單元，而對NOR架構(gòu)來說，確信可以得到4比特/單元。這一點不僅補償了NAND單元的較大尺寸，而且使得NOR成為所有當(dāng)前和將來的快閃存儲器應(yīng)用的適當(dāng)選擇。
