三星投資150億美金平澤新廠
為了滿足市場日益增長的數據存儲需求，
三星半導體在韓國平澤市投資150億美金新建存儲工廠，今日舉行開工奠基。新建的平澤廠主要用于發展10nm工藝和3D技術，預計2017年產線投入生產，未來將成為
三星重要存儲器生產基地。韓國政府非常支持韓國企業挑戰尖端科技，韓國總統樸槿惠參加奠基儀式。
由于物聯網驅動下的大數據存儲市場可期，基于未來存儲市場需求龐大，SK海力士曾計劃2015年在NAND Flash資本支出13億美金，主要用于10nm級TLC NAND Flash研發與產能擴增。
三星則在NAND Flash方面規劃47億美金，主要用于大陸西安廠3D V-NAND發展，如今還150億美金投資新建平澤工廠，且大力發展10nm工藝和3D先進技術，
三星在NAND Flash領域的投入可是一點也不手軟。
另一方面，現在
東芝/SanDisk，
美光、SK海力士均公布了其3D NAND技術將在2015下半年開始量產，并且為了更好的發展3D技術，
東芝/SanDisk改建Fab 2工廠，
美光則投資擴建新加坡的Fab 10晶圓廠。
三星3D V-NAND技術領先其他廠在2013年開始量產，如今其他廠3D技術奮起直追，
三星勢必將加大3D技術投入，以確保3D V-NAND更有市場競爭優勢。
遠通聯達 鄧生 15118007442 隨時了解更多閃存動向
